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驻波已经很低,天线效率为何仍上不去?S11很好只能证明反射少;送进天线的功率是辐射出去,还是被导体、介质和外壳消耗,需要另外验证 VNA上的S11已经压得很低,为什么无线距离仍然不理想?这个现象并不矛盾。回波损耗回答的是“输入口有多少功率被
频谱峰值不高,信道功率为何仍会超?Marker读的是一个频率点附近的电平,Channel Power算的是整段信道带宽里的能量总和 频谱上最高一根线并不高,为什么Channel Power还是超?因为调制信号不像单音那样把能量集中在一个频点
P1dB还没到,三阶互调为何已冒头?P1dB看的是增益何时明显压缩,IP3看的是三阶产物以多快速度逼近主信号单音测试时,功放增益还很平,离P1dB似乎还有余量;换成双音输入,主信号旁边却已经长出两根三阶互调。滤波器很难处理,因为它们离目标信
测试线多接5厘米,S参数为何变了?S参数从来不是脱离端口位置的固定数字;测试线多出来的电长度,会直接写进相位结果 同一只射频器件,换了一根多5厘米的测试线,S21相位明显变化,S11轨迹也转了一圈。器件没动,为什么结果变了?因为网络分析仪报
混频频点对了,为何杂散也一起冒出来?混频器选出目标和差频的同时,也会生成更高阶组合频率;频率规划决定哪些产物会落进带内 混频器输出的目标中频位置完全正确,频谱旁边却冒出几根不认识的线。它们不一定是仪器噪声,也不一定来自本振泄漏。只要器件存在
K因子大于1,放大器为何还会自激?K因子只描述给定S参数条件下的二端口稳定性;频率、偏置、负载和版图反馈一变,样机仍可能出现新的正反馈环路 仿真报告里K大于1,设计被标成“无条件稳定”。样机接上偏置网络、连接器和真实负载后,频谱上却冒出一根
前级增益更大,整机噪声为何反而更小?Friis公式不是说前级增益能消灭噪声,而是它能把后级噪声折算到输入端时的权重压小 两套接收链路用了相同的混频器和中频放大器,只是第一级LNA的增益不同。前级增益更高的方案,整机噪声系数却可能更低,看起来
源和负载都写50Ω,为何仍未必最大功率?50Ω可能是在描述传输线、端口规范或测量参考阻抗;要不要最大功率,还要看源内阻与源端看到的输入阻抗 射频系统里“都是50Ω”常被当成匹配完成。可负载端不反射,与有损信号源输出功率最大,是两个观察位置不
射频开关关断了,信号为何仍会漏过去?控制电平只能选择导通状态,无法让关断路径变成无限阻抗;高频信号仍会沿寄生通道耦合 射频开关的关断端并不是理想开路。芯片结电容、封装、焊盘、相邻走线和公共端口都会形成泄漏路径,因此隔离度会随频率、端口状态、
散热器温度只高一点,射频增益为何会漂?散热器表面温度只是热链上的一个点,器件结温可能更早改变 射频组件的增益、输出功率、线性、噪声和频率都会随温度变化。散热器表面只升高几度,并不能证明结温变化也很小;芯片到壳体、导热界面、PCB和散热器之间
天线频率阻抗都对,为何转个方向就掉线?阻抗匹配解决端口反射,极化匹配决定电场分量能否被接收 天线在目标频率上匹配良好,只能说明端口反射较小。发射波与接收天线的极化方向若不一致,可接收的电场投影会下降;线极化接近正交时,链路余量可能显著缩小。
走线都是50Ω,焊盘为何仍会反射?直线段的特性阻抗合格,不代表焊盘、拐角、间隙和宽度阶跃没有局部寄生 50Ω计算通常针对均匀传输线截面。焊盘变宽、参考面开槽、过孔焊盘和器件端头会改变局部电场与电流分布,等效为附加电容或电感;这段结构即使很短
S11已经很低,为何传输仍可能很差?反射很小,只说明能量没有回到端口1;它未必到达端口2 S11描述从端口1反射回来的能量,S21描述从端口1传到端口2的能量。结构可以做到低反射,却把能量耗散、辐射或转换到其他模态;因此S11很好不能单独证
电容越大,高频插损为何反而不一定更好?容量只决定理想容抗,ESR和ESL会让真实电容在高频换一种表现 实际电容包含等效串联电阻和等效串联电感。它与电容量形成串联谐振:自谐振以下主要呈容性,自谐振以上寄生电感开始主导。目标频段的阻抗或插损曲线
频谱只有一个峰,为何还不能说明信号正常?功率随频率的图,看不见全部相位和时间信息 普通频谱能告诉你能量分布、载波位置和带外成分,却不能单独证明相位、时序或调制质量正常。数字调制信号还要用矢量/解调分析观察I/Q、星座和误差。射频输出接上频谱
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