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LDO 是低压差线性稳压器，输出=输入-压差（Dropout），压差越小效率越高；关键参数：压差（100mV~1V）、输出噪声（μVrms）、PSRR（电源抑制比，60~80dB）、静态电流（μA级）；LDO 适合低压差小电流低噪声，DC-DC 适合大电流高效率但有纹波。
本文概述
LDO 是常用电源芯片，面试常考：压差、PSRR、噪声、和 DC-DC 区别。回答要给参数对比和选型。
核心要点
LDO 输出 Vout = Vin - Dropout，Dropout 是输入输出最小压差
PSRR 电源抑制比：抑制输入纹波能力，60~80dB，频率升高 PSRR 下降
输出噪声：μVrms 级，低噪声 LDO 用于射频/ADC 参考
静态电流 IQ：μA级，电池供电要选低 IQ
LDO 效率 = Vout/Vin（压差大效率低），适合小电流；DC-DC 效率高（85~95%）适合大电流
面试官考察点
LDO 选型题。面试官看你是否理解射频电源要求。重点听：低噪声、高 PSRR、DC-DC 纹波。
回答思路
讲射频电源要求低噪声高 PSRR，LDO 适合，DC-DC 纹波大。
参考回答
射频电源要求。
低噪声：射频对电源噪声敏感，电源噪声会调制到载波上（相位噪声、杂散）；
高 PSRR：抑制前级 DC-DC 的纹波（一般 100kHz~几 MHz）；
低压差：效率高、发热小；
所以射频供电用 低噪声 LDO（如 ADP150、TPS7A4700、LT3042）。
LDO 关键参数。
| 参数 | 含义 | 射频选型 |
|---|---|---|
| 压差 Dropout | 正常稳压时 Vin-Vout 最小值 | <200mV（低压差） |
| 输出噪声 | 10Hz~100kHz 噪声电压 | <10μVrms（低噪声） |
| PSRR | 1kHz 时电源抑制比 | >60dB |
| 静态电流 IQ | 空载时芯片自身耗电 | 电池供电 <10μA |
| 输出电流 | 最大负载电流 | ≥ 射频芯片电流 + 30% 余量 |
LDO vs DC-DC。
| 项目 | LDO | DC-DC |
|---|---|---|
| 效率 | Vout/Vin（压差大时低） | 85~95% |
| 输出纹波 | μV 级（很小） | mV 级（开关纹波） |
| 噪声 | 低 | 较高（开关噪声） |
| 电流 | 一般 <3A | 可达几十 A |
| 体积 | 小（只需电容） | 大（电感电容） |
| 成本 | 低 | 中高 |
| 适用 | 小电流、低噪声、射频/模拟 | 大电流、高效率、数字电路 |
典型架构：DC-DC + LDO。
电池 3.7V → DC-DC 转 3.3V（高效率，给数字电路）
→ LDO 转 2.8V（低噪声，给射频/ADC）
DC-DC 负责高效率降压，LDO 负责最后一级干净化。
注意。
LDO 输入输出电容要靠近芯片放（<5mm），陶瓷电容 X7R；
有些 LDO 需要输出电容 ESR 在一定范围（旧型号），陶瓷电容可能振荡；
PSRR 在高频（>1MHz）下降，高频噪声靠输出电容滤；
LDO 功耗 = (Vin-Vout)×Iout，压差大电流大时发热严重。
