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防静电袋没封口,屏蔽保护就可能打折板卡已经装进银灰色防静电袋,转运时袋口却一直敞着;到了工位,又被直接放在袋子上测试。这两种动作都不能简单算作“有屏蔽保护”。防静电是一个笼统叫法,减少摩擦起电、让电荷缓慢耗散、抵御外部放电,是不同任务。对依
滤波器曲线漂亮,上板衰减却失灵滤波器目录上写着几十dB插入损耗,装进整机后却只压下一小截,甚至在某个频点冒出更高的峰。问题不一定是器件虚标。插入损耗从来不是滤波器单独拥有的数值,它是滤波器与源、负载共同组成系统后的结果。标准治具通常有明确阻
峰值预扫已经过线,准峰值为什么仍可能合格?EMI接收机用峰值检波快速扫一遍,某个频点压过了准峰值限值线,并不等于正式准峰值结果已经超标。峰值检波像一个快速、保守的筛查员;准峰值还会按规定时间常数对脉冲重复率加权。稀疏的高脉冲可以有很高峰值,
共模电感阻抗很高,高频噪声却从绕组间跨过去共模电感的标称电感量很大,低频阻抗也符合预期,可到更高频段,噪声却像没经过磁芯一样出现在后级。漏过去的路径常常不在磁路里,而在绕组之间。每一匝导线、输入与输出端、上下层绕组之间都形成小电容。频率升高
浪涌标称2kV,真正灌入多少电流?浪涌报告写着2kV,不代表有固定的2kV直接压在芯片脚上,也不代表电流可以用2kV除以板上电阻得到。关键判断是:组合波发生器以开路电压和短路电流共同定义,实际灌入DUT的电流由源阻抗、耦合网络、保护器件与设
EFT耦合夹没接线,干扰为何还能进去?EFT容性耦合夹不需要剥开信号线,也不与导体形成金属连接。线缆放入夹具后,夹板与线束之间构成分布电容,快速脉冲的高dv/dt通过位移电流耦合到多根导线上,再沿接口、屏蔽和参考地回路进入设备。测试结果因此
空气放电为何每次结果都不一样?空气放电时,放电枪与受试点之间保留空气隙,火花何时击穿取决于间距、接近速度、湿度、尖端与表面形状,以及受试设备当时的电位。空气隙本身就是一个强非线性、带随机性的开关。若回流板、接地带、枪姿态和放电点也在变化,同
共模电感只拦共模,为何差模也会变?共模电感的两组绕组无法做到完全耦合,剩余漏感会出现在差模回路中,并与X电容和寄生参数形成新的频率响应 在电源入口加共模电感后,共模噪声下降符合预期,差模曲线却也移动了,有时还多出一个峰。器件没有“串错”,只
频谱仪能扫噪声,传导测试为何还要接LISN?LISN把供电网络变成可重复的测量边界,并向接收机提供稳定取样端口 频谱仪直接接电源线也能看到噪声,但看到的幅度取决于电源、线束和接法。LISN通过规定网络稳定被测端阻抗、隔离部分外部噪声并输出测
近场探头转个方向,频谱峰值为何变了?探头不是无方向的麦克风,它只会对特定场分量强耦合 H场环形探头对穿过线圈的磁通变化敏感,E场探头对高dv/dt节点更敏感。旋转、倾斜或抬高探头,会改变耦合量。近场扫描的第一要务,是固定姿态和距离。同一颗电
SW铜皮越铺越大,EMI为何反而更差?高dv/dt铜皮既是电气节点,也是向周边耦合的电场源 Buck开关节点铜皮加大后,导通电阻和局部温升可能改善;但面积越大,它与地、散热器、线缆和周边走线形成的寄生电容通常越大,位移电流与共模辐射也会被放
屏蔽电缆只接一端,高频为何还是挡不住?单端接地能避免某些低频环路,却可能让屏蔽层在高频失去就近回流;两个频段的问题不能用一句经验处理 仪表系统里常听到一句话:屏蔽层只接一端,避免地环路。把这条经验原样搬到高速接口、开关电源或辐射整改上,结果
机箱是金属的,缝隙为何仍会漏辐射?金属板的材料屏效很高,但整机屏效往往由最长缝隙、孔洞和搭接不连续之处决定 机箱明明是金属的,为什么辐射还会从盖板、通风口或接口附近冒出来?因为真实机箱不是一个无缝导体,它有螺钉间隔、接合面、通风孔、显示窗和
时钟频率不高,边沿为何仍会辐射?时钟重复频率决定多久翻转一次,上升下降时间决定一次翻转里包含多高的频率成分 时钟只有100kHz,为什么频谱上会冒出几十兆赫兹甚至更高的成分?因为数字时钟不是正弦波。每次翻转都在很短时间内推动电流改变,快速边
频谱超标,如何先分清共模还是差模?频谱只告诉你哪里超标,共模/差模分离才告诉你该动X电容、Y电容还是共模电感 传导测试在300kHz附近超标,工程师先加大X电容,曲线几乎没动;再换更大的共模电感,低频好了一点,高频又冒出新峰。整改越做越乱,
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