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栅极电阻只差几欧姆，为什么EMI和MOS温升都变了？MOSFET栅极串联电阻看起来只是几欧姆的小器件，却直接参与控制开关速度。阻值变大可降低dv/dt、抑制SW振铃和EMI，但也会拉长Miller平台，让VDS与IDS重叠时间增加，带来更高
防静电袋没封口，屏蔽保护就可能打折板卡已经装进银灰色防静电袋，转运时袋口却一直敞着；到了工位，又被直接放在袋子上测试。这两种动作都不能简单算作“有屏蔽保护”。防静电是一个笼统叫法，减少摩擦起电、让电荷缓慢耗散、抵御外部放电，是不同任务。对依
滤波器曲线漂亮，上板衰减却失灵滤波器目录上写着几十dB插入损耗，装进整机后却只压下一小截，甚至在某个频点冒出更高的峰。问题不一定是器件虚标。插入损耗从来不是滤波器单独拥有的数值，它是滤波器与源、负载共同组成系统后的结果。标准治具通常有明确阻
峰值预扫已经过线，准峰值为什么仍可能合格？EMI接收机用峰值检波快速扫一遍，某个频点压过了准峰值限值线，并不等于正式准峰值结果已经超标。峰值检波像一个快速、保守的筛查员；准峰值还会按规定时间常数对脉冲重复率加权。稀疏的高脉冲可以有很高峰值，
共模电感阻抗很高，高频噪声却从绕组间跨过去共模电感的标称电感量很大，低频阻抗也符合预期，可到更高频段，噪声却像没经过磁芯一样出现在后级。漏过去的路径常常不在磁路里，而在绕组之间。每一匝导线、输入与输出端、上下层绕组之间都形成小电容。频率升高
浪涌标称2kV，真正灌入多少电流？浪涌报告写着2kV，不代表有固定的2kV直接压在芯片脚上，也不代表电流可以用2kV除以板上电阻得到。关键判断是：组合波发生器以开路电压和短路电流共同定义，实际灌入DUT的电流由源阻抗、耦合网络、保护器件与设
EFT耦合夹没接线，干扰为何还能进去？EFT容性耦合夹不需要剥开信号线，也不与导体形成金属连接。线缆放入夹具后，夹板与线束之间构成分布电容，快速脉冲的高dv/dt通过位移电流耦合到多根导线上，再沿接口、屏蔽和参考地回路进入设备。测试结果因此
空气放电为何每次结果都不一样？空气放电时，放电枪与受试点之间保留空气隙，火花何时击穿取决于间距、接近速度、湿度、尖端与表面形状，以及受试设备当时的电位。空气隙本身就是一个强非线性、带随机性的开关。若回流板、接地带、枪姿态和放电点也在变化，同
共模电感只拦共模，为何差模也会变？共模电感的两组绕组无法做到完全耦合，剩余漏感会出现在差模回路中，并与X电容和寄生参数形成新的频率响应 在电源入口加共模电感后，共模噪声下降符合预期，差模曲线却也移动了，有时还多出一个峰。器件没有“串错”，只
频谱仪能扫噪声，传导测试为何还要接LISN？LISN把供电网络变成可重复的测量边界，并向接收机提供稳定取样端口 频谱仪直接接电源线也能看到噪声，但看到的幅度取决于电源、线束和接法。LISN通过规定网络稳定被测端阻抗、隔离部分外部噪声并输出测
近场探头转个方向，频谱峰值为何变了？探头不是无方向的麦克风，它只会对特定场分量强耦合 H场环形探头对穿过线圈的磁通变化敏感，E场探头对高dv/dt节点更敏感。旋转、倾斜或抬高探头，会改变耦合量。近场扫描的第一要务，是固定姿态和距离。同一颗电
SW铜皮越铺越大，EMI为何反而更差？高dv/dt铜皮既是电气节点，也是向周边耦合的电场源 Buck开关节点铜皮加大后，导通电阻和局部温升可能改善；但面积越大，它与地、散热器、线缆和周边走线形成的寄生电容通常越大，位移电流与共模辐射也会被放
屏蔽电缆只接一端，高频为何还是挡不住？单端接地能避免某些低频环路，却可能让屏蔽层在高频失去就近回流；两个频段的问题不能用一句经验处理 仪表系统里常听到一句话：屏蔽层只接一端，避免地环路。把这条经验原样搬到高速接口、开关电源或辐射整改上，结果
机箱是金属的，缝隙为何仍会漏辐射？金属板的材料屏效很高，但整机屏效往往由最长缝隙、孔洞和搭接不连续之处决定 机箱明明是金属的，为什么辐射还会从盖板、通风口或接口附近冒出来？因为真实机箱不是一个无缝导体，它有螺钉间隔、接合面、通风孔、显示窗和
时钟频率不高，边沿为何仍会辐射？时钟重复频率决定多久翻转一次，上升下降时间决定一次翻转里包含多高的频率成分 时钟只有100kHz，为什么频谱上会冒出几十兆赫兹甚至更高的成分？因为数字时钟不是正弦波。每次翻转都在很短时间内推动电流改变，快速边
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