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旁路电容很近,电源噪声为何还在?旁路电容的“近”要按电流回路来量;焊盘离芯片近,过孔顺序错了,高频噪声仍然会绕路 旁路电容已经紧挨芯片电源脚,为什么电源尖峰还在?很多版图的问题不在直线距离,而在电流从芯片到电容、再回到参考面的真实路径。一个
电感额定电流够,为何一加负载就掉压?额定电流不是一个单一数字;重载掉压时,要先分清温升电流、饱和电流和电源真正流过的峰值电流 输出需要3A,电感标着4A,为什么负载刚加上去电压就掉?很多人把“额定电流”直接与输出平均电流比较,却忽略了电感电
本文总结在开关电源设计中,EMI 问题往往与热环路布局直接相关。尤其是在反激式电源、USB-C 适配器以及 AC-DC 电源模块中,热环路面积会直接影响辐射发射和传导发射水平。本文将介绍热环路的物理本质、EMI 产生机理,以及如何利用 Allegro X 规则管理器(Constraint Manag
同步整流换上MOS,为何效率反而下降?同步MOS能降低导通压降,但只有门极窗口与副边电流方向重合时,这份理论优势才会变成整机效率 把肖特基换成低导通电阻MOSFET,损耗公式看起来更漂亮,实测效率却可能没有提升。轻载时驱动本身在耗能,死区太
带宽限制一开,电源纹波为何立刻变小?带宽限制会把高频尖峰与拾取噪声一起衰减,显示数字变小并不代表电源本身突然变好 同一个输出电容两端,全带宽测到一串尖峰,点开20 MHz限带后,峰峰值立即小了很多。有人把前一张图当成“电源很差”,又把后一张
尖峰压下去了,RCD为何仍会发热?RCD把MOSFET关断尖峰压低时,漏感能量并没有消失,只是被引到电容和电阻里重新分配 反激电源的VDS尖峰过高,把RCD的电阻调小、电容调大,波形很快就“好看”了。可运行一段时间后,箱位电阻温度却明显偏高
串联电容BUCK变换器SCB Series Capacitor BUCK Converter,如图1所示。占空比为0.5时,两组开关管Q1、Q3与Q2、Q4交替开通关断,在不同模式工作时,飞跨电容Cf分别充、放电,保持电荷平衡。在不同占比工作时,SCB变换器的工作状态并不相同,下面分别进行论述。图1
LLC已经实现ZVS,MOSFET为何仍会失效?看到开通前VDS接近零,只能证明一个瞬间;启动、轻载和容性区仍可能让MOSFET重新承受硬应力 LLC调试里,“已经ZVS”常被当成MOSFET安全的结论。问题是软开关成立有明确边界:谐振电流
输出纹波不大,负载突变为何仍会掉压?稳态纹波合格,只能证明负载稳定时表现正常;负载一跳变,储能和控制环路才真正接受考验 纹波很小的电源,在CPU、FPGA或无线模块突然拉高电流时仍可能掉压。输出电容先承担负载缺口,控制环路随后补能;ESR、
电源软启动很慢,为何上电仍会冲大电流?输出慢慢爬升,不代表输入电容也被慢慢充电 控制器软启动通常限制开关占空比或输出电压爬升,却不一定插手输入大电容的最初充电。若插电瞬间电容前没有受控阻抗,保险丝、连接器和整流器仍可能先承受浪涌。示波器上看
RS485每个节点都端接,为何通信更差?端接跟随电气末端,不跟随节点数量 端接是给传输线末端吸收反射,不是给每颗收发器配一个固定电阻。两线多点总线在每个节点都并联端接,会把总负载压得过低;长支路和星形分叉还会制造新的电气末端。RS‑485通
磁芯开了气隙,电感量为何反而下降?气隙牺牲的是有效磁导率,换来的是更大的直流偏置余量和可控储能 在匝数不变时,给磁路增加气隙会降低有效磁导率和AL值,所以小信号电感量通常下降;但磁动势更多地落在气隙上,直流电流引起的磁通变化更平缓,电感更不
运放 · 共模输入范围 · 线性区输入没超电源,运放为何仍突然失真?输入端在电源轨内,只是绝对边界成立;输入级还要留出工作余量 运放两个输入端都没有超过电源轨,并不代表输入级一定线性。共模输入范围通常随供电、温度和器件结构而变化;当共同直流
输入滤波级数更多,噪声为何反而冒峰?多一级LC会增加衰减,也会增加一个需要阻尼的新谐振点 输入滤波器并不是把电感和电容越堆越多越好。每增加一级LC,网络都会新增储能交换路径;当寄生电阻和主动阻尼不足时,某个窄频段的阻抗峰可能被抬高,导致输入
LDO更安静,为何大压差带载却更烫?低噪声不代表低损耗,线性调整管会把压差变成热 LDO的串联调整管工作在线性区。输出稳定时,输入与输出之间多出来的电压不会消失,而会和负载电流一起形成内部耗散。选LDO前先算热,再谈纹波、成本与外围复杂度。
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见到好工具就想入手,水平差工具来弥补?看看这款电焊台
总算收到一台汉匀新机的返修,这个质量也没话说
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