功率MOSFET的数据表中,通常列出了包括单脉冲雪崩能量EAS、单脉冲雪崩电流IAS、重复脉冲雪崩能量EAR、重复脉冲雪崩电流IAR等参数,许多电子工程师在设计电源系统的过程中,很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系,如何在实际的应用中评定这些参数对系统的影响,以及在哪些应用条件下需要考虑
松哥电源 关注Ta
此用户很懒什么也没留下
作者经常遇到许多研发工程师寻问功率MOSFET的SOA曲线有关的问题,如有些做电源的研发工程师,电源结构为反激或BUCK降压变换器,他们测量到功率MOSFET的电压和电流波形,然后根据电压、电流波形和工作的脉宽时间,在SOA曲线中描出对应的工作点,来校核工作点是否在SOA曲线的范围内,以此来判断功
同步BUCK降压变化器是应用非常广泛的一种电源结构,其工作频率由早期的低于100KHz,提高到200KHz、300KHz、350KHz、500KHz、1MHz,甚至更高,工作频率的提高带来的好处是电源系统的体积降低,但是,缺点就是开关损耗会增加。功率MOSFET在进一步减小导通电阻、降低导通损耗的同
电阻分压就是BUCK降压器最基本的原理!惊讶吧!如果有一个10V的电压,要想得到5V的电压,怎么办?非常简单,用二个阻值相同的电阻R1、R2串联起来,从接地电阻R2上取电压,就直接得到5V电压。图1:串联电阻分压如果给这个电压加负载,二个串联电阻的阻值为1K,负载电阻为1K,那么得到的电压只有3.3
SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道,尽管其工艺复杂,单元一致性比平面结构差。但是,沟槽结构可以增加单元密度,没有JFET效应,寄生电容更小,开关速度快,开关损耗非常低;而且,通过选取合适沟道晶面以及优化设计的结构,可以实现最佳的沟道迁移率,明显降低导通电阻,因此,新一代SiC
上周我们推送一篇高大上的SiC应用文章,许多资深工程师为之振奋,一些年轻工程师表示要加紧学习,快速提高自己的水平。今天我们再回到基本面,学习功率MOSFET一些基础知识。10多年前做研发使用功率MOSFET、查阅产品数据表的时候,看到前面好几个电流的定义:连续漏极电流ID、IDSM、脉冲漏极电流ID
很多读者要求介绍一下IGBT内容,这期就论述IGBT基础:结构及特点,下一篇回到MOSFET,介绍完MOSFET相关内容后,再进一步介绍IGBT的数据表。我们的工程师经常会问到: 穿透型、非穿透型IGBT,这里的"穿透"、"非穿透"是什么含义?IGBT具有不同的内部结构,如穿透型、非穿透型和现在广泛
峰值电流模式控制方式在占空比大于50%的时候,系统容易进入不稳定的工作状态:次谐波震荡,就是功率器件的开关波形发生宽脉冲和窄脉冲交替出现的状态,特别是在电感较小情况下,这种现象更容易发生。次谐波震荡导致输出电压纹波突然增加,系统的动态响应变差。 1、次谐波震荡产生原因 BUCK变换器采用峰值电流模式
同步BUCK降压变换器的基本结构包括PWM控制器、主开关管(上管,功率MOSFET)和续流管(下管,功率MOSFET)、以及输出电感和滤波电容。通常,PWM控制器内部带有直接驱动功率MOSFET的输出图腾柱,从而简化系统设计,如图1所示。 输出负载电流较小时,将2个功率MOSFET集成到IC内部,进
0、前言锂离子电池包的内部,电芯和输出负载之间要串联功率MOSFET,使用专用的IC控制MOSFET的开关,从而对电芯的充、放电进行管理,如图1所示。在消费电子系统中,如手机电池包,笔记本电脑电池包等,带有控制IC、功率MOSFETFE管以及其他电子元件的电路系统称为电池充放电保护板Protecti
- 1
- 2