一、电源架构与核心特点‌：‌多电源域设计‌ 1.RK3588采用独立电源域划分，包括： l‌CPU核域‌：0.9V-1.2V（Cortex-A76/A55集群） l‌GPU域‌：0.8V-1.0V（Mali-G610） l‌NPU域‌：0.

带平衡电抗器的双反星形可控整流电路适用于低电压、大电流的场合 多重化整流电路的特点在采用相同器件时可达到更大的功率；可减少交流侧输入电流的谐波或提高功率因数，从而减小对供电电网的干扰01带平衡电抗器的双反星形可控整流电路基本电路图如下图所示电路分析电路结构的特点①二次侧为两组匝数相同极性相反的绕阻，

开关电源产品日新月异，随着电源产品技术的蒸蒸日上，客户对电源产品的要求也越来越严格，小型化及高效的电源产品越来越受到客户的喜爱，为了做出小型高效的电源产品，我们不仅要在电源设计时选取体积相对小型的电源元器件，还需要在电路板上做做文章。 在最早时期，我们采用的是单层板，这类电路板适合简单

上篇的电路有留言问D6、ZD1和C4在线路中的作用是什么，我简单的私信回了一下，为了更好的理解，现在把具体的输出控制线路进行分析： 输出电压控制电路由C4、D6和ZD1组成；前文已经提到当Q1截止时，反馈绕组NF上感应出上“-”下“ ”的电压，该电压也使D6导通，并给C4充电。当C4的

彩电电源原理图如下所示: 市电压经由L1、R1、CX1、LF1、CX2、LF2、CY2、CY4组成的差模共模滤波线路，滤除市电输入交流电压中的杂波和干扰，再经VD1、C3整流滤波后，将市电整流滤波成为一较为稳定的直流高压电流。我们可以看到在输入端还有两个元器件：ZV201为压敏电阻，即

上一篇文章提到了RCD尖峰吸收电路，有留言说能将尖峰吸收电路展开详细说一下；那这一章我们就将尖峰吸收电路的类型和使用场合进行详细分析一下。 尖峰电压吸收电路是开关电源的一种辅助电路，尤其是在反激式开关电源中，那是必不可少的。因为在开关电源中，当开关电源的功率MOS管由导通变成截止瞬间，

最近收到读者私信，说有个线路图看的不太懂，需要帮忙分析一下具体的工作原理，由于给的图片比较模糊，有些参数无法看清楚，所以我又将线路按照理解进行重新绘制成较为清楚的原理图，看线路感觉是恒压源线路；留言说是输出电压12V，输出电流2.5A的30W开关电源线路图；重绘后线路如下所示： 从上图中，

下图为自动灌溉器电源电路图： 从上图中，我们可以看到电路采用芯片555的非稳态工作模式来构成循环定时器，设计的目的就是为了满足间歇性灌溉，让土壤始终保持湿润；我们可以通过调节开关的导通时间长短来满足土壤的湿润程度。 图中芯片555内部图如下所示： 从上图中，我们可以看到，芯

为了滤除电流检测信号前沿尖峰，现在的峰值电流模式控制器都具有前沿消隐时间（Leading Edge Blanking LEB），这个设置会导致二个问题：1、输出短路时，无法提供可靠的过流保护；2、低占空比应用，如19V输入、1V输出，800kHz工作频率，导通时间小于LEB时间，系统无法正确调节，如

BUCK变换器峰值电流模式的反馈补偿元件为Rc、Cc和Cp，在反馈设计时计算Rc，电源芯片IC的数据表中，经常看到下面的公式：其中，Co：输出电容fc：穿越频率，也就是系统的带宽Gm：电压误差放大器的跨导Gcs：功率级的检测电流跨导Vo：输出电压VFB：电压误差放大器的参考电压 图1：峰值电流模式的

中大功率的ACDC电源都会采用有源功率因数校正PFC电路来提高其功率因数，减少对电网的干扰。在PFC电路中，常用的结构是BOOST电路，在实际的使用中，通常会加一个旁路二级管D2，如图1所示。旁路二级管D2的作用，不同的资料，不同的工程师，都有不同的解释，下面逐一分析说明。图1：PFC电路 1、减少

智能手机电池包PCM通常使用功率MOSFET作充放电管理，功率MOSFET的工作的温度是非常重要的一个性能指明标，AOCR38232和器件2都是针对这个应用的二个功率MOSFET，其中，AOCR38232顶部材料为硅，器件2顶部材料为金属，如图1所示，相关参数如表1所示。表1：功率MOSFET参数

介绍功率GaN器件的特性，以及基于GaN的电源系统的设计和应用

目前在工业、汽车电子系统中有诸如温度、压力、位置、重量和流量等物理参数的精确测量，这些信号中的一些传感器和前置放大器需要正负电压源驱动或供电，以提供足够宽的动态范围和抗干扰性。这些电子系统通常使用3.3V、5V、12V或24V中的某一电压的直流电源供电，所以必须使用一个直流变换器从正的电源得到一个负

MOSFET的漏极导通特性如图1所示，其工作特性有三个工作区：截止区、线性区和‍完全导通区。其中，线性区也称恒流区、饱和区、放大区；完全导通区也称可变电阻区。图1：MOSFET的漏极导通特性通常MOSFET工作于开关状态，在截止区和完全导通区之间高频切换，由于在切换过程中要经过线性区，因此产生开关损