首先祝大家五一快乐，今天翻看私信，看到有个朋友留言IGBT，本来计划是想先讲一下双极型晶体管后才衍生讲MOS，那既然有朋友想要了解，那我今天就先把MOS和IGBT都简答讲一下。 我们知道在开关电源中，功率MOS是最常选用的功率开关器件，在大多是场合下，它的成本和导通损耗

在计算机体系结构中，总线可以作为信息传输的通道，连接着计算机的各个部件，确保数据的流通与指令的执行，十分重要。本文将谈谈总线的分类，希望对小伙伴们有所帮助。根据连接范围和用途的不同，总线可分为内部总线和外部总线三大类，每种总线都有其特定的应

1、晶闸管（SCR）晶体闸流管简称晶闸管，也称为可控硅整流元件（SCR），是由三个PN结构成的一种大功率半导体器件。在性能上，晶闸管不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件更为可贵的可控性，它只有导通和关断两种状态。晶闸管的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在

低带宽、高分辨率ADC的有效位数计算方法因公司而异，而器件的有效位数受噪声限制。有些公司规定使用有效分辨率来表示有效位数，ADI则规定使用峰峰值分辨率。峰峰值分辨率是指无闪烁位数，计算方法与有效分辨率不同。因此，要了解器件对于一项应用的真正性能，必须确定所规定的是峰峰值分辨率还是有效分辨率。噪 声图

你知道什么是晶振吗？你知道晶振ppm代表什么意思吗？你知道晶振的主要参数以及工作原理吗？如果你对这些问题存在一定疑惑，不妨看看本文带来的有关晶振这四方面的内容，让本文帮你一次性扫清这些个障碍吧。一、什么是晶振ppm？晶振全称是晶体振荡器，是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片)，石英晶

硬件工程师，应该都用过二极管的吧，不过也许有一个误区，大多数人可能并不知道，或者说是理解有问题，下面就来细细说下。 一个问题先提一个问题：到底是什么决定了二极管的最高工作频率？估计有不少人会回答是二极管反向恢复时间Trr，也有人会说是二极管结电容，那到底谁是对的呢？或者说都一样，反向恢复时间由结电容

我们上一次说了将半导体制作成本征半导体的目的就是为了能有效的控制半导体的特性为我们所用，那我们今天就来讲一下我们用本征半导体能做成什么东西。首先接触过电子行业的人都会知道，我们电路是由电子元器件构成的，而电子元器件中最基础的元器件莫过于电阻、电容、电感、二极管、三极管等等。而其中的二极管和三极管我们

电感在我们的开关电源中是一种不可或缺的元器件，它是一种能够储存磁场能量的元件，它在电路中起着重要的作用；主要作用是阻止电流的变化，因此它也被称为“阻抗元件”；在电路中，我们用L表示，电感有多种类型，根据不同的分类标准，可以分为以下几种：如果根据电感的结构，我们可以将电感分为自感式电感和互感式电感两大

一电容的作用作为无源元件之一的电容，其作用不外乎以下几种：应用于电源电路，实现旁路、去耦、滤波和储能的作用，下面分类详述之。1）旁路旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要

前面章节讲了MOS管的一些特性，就有一些同学留言问能不能讲一下MOS管的基础知识，我前面也说了很多有关于MOS的文章，那这一章我们还是简单的说一下MOS管的基础知识。 MOS管是FET的一种，可以被制作成增强型和耗尽型，P沟道或N沟道类型，在我们开关电源设计时，一般使用的是增强

MOS管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗，这些损耗可以分为两类： 一类为器件栅极驱动损耗。前面我们说过：MOSFET的导通和截止过程包括电容CISS的充电和放电。当电容上的电压发生变化时，一定量的电荷就会发生转移；需要一定量的电荷使栅极电压在0和VDRV之间变化，变化

最近一直在说MOS管的知识，就有朋友留言说能具体说一下MOS管的导通和关断过程吗，那我们今天来说一下MOS管的导通和关断具体过程。 为了更好的理解MOS管的导通和关断过程，我们一般会将电路中的寄生电感忽略掉，下面我们以一个最简单的钳位感应开关模型来说明。 对于MOS的导通过程我们可以

uv测试指的是什么?ultraviolet ray，缩写为：UV，中文翻译为：紫外线，抗UV测试就是“抗紫外线老化测试”，紫外线会导致设备外壳老化，暴露在户外的设备通常需要做。它主要是模仿自然界阳光照射环境，再现阳光、雨水和露珠所发生的损坏

Y电容Y电容是安规电容的一种，安规电容是指用于这样的场合：即电容器失效后，不会导致电击也不会不危及人身安全。也就是因为这样安规电容与其他普通的电容有着不一样的地方，普通的电容在电源断开之后很长一段时间还会保留一定残留电压，一旦手触碰到就会发生电击，而安规电容却不会。Y电容大多数为蓝色，但是也有黄色的