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大家如果做过DDR的设计可能会发现在进行多片DDR连线时,通常在信号的末端会放置很多的电阻(如下图所示),那么这些电阻都是起什么作用的呢?通常在DDR末端的电阻是为了防止信号射的,起阻抗匹配的作用,之前我们介绍过另一种防止信号射的解决措

为什么多片DDR菊花链拓扑连接时末端需要接很多的电阻

电感所在层的内部需要挖空处理2.此处过孔不满足载流3.注意走线不要走直角,尽量钝角4.过孔不要上焊盘5.电感下面尽量不要放置器件和走线6.注意电源网络需要再底层铺铜进行连接7.馈要从最后一个电容后面取样,走10mil8.滤波电容需要靠近管

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过孔焊盘不要重叠,相同过孔间也应保持4mil以上间距过孔不要打到小器件焊盘馈信号走线应加粗到10mil以上同层连接不需要打过孔以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审如需了解PCB特训班课程可以访问链接或扫码联系助教:ht

90天全能特训班20期-AD王志武 第三次作业PMU模块的PCB设计

除散热焊盘外,其他过孔不要上焊盘走线尽量不要从焊盘的四角出线,尽量不要在焊盘内拐弯器件尽量中心对齐,相邻器件尽量都朝一个方向摆放会更美观,尽量单点接地按照先大后小原则摆放,大电容放小电容前面馈信号应避开干扰源,馈布线和电感保持一定间距以

90天全能特训班21期-第二次作业-刘林-DCDC模块

超级电容器(supercapacitor),又叫双层电容器、黄金电容、法拉电容、通过极化电解质来储能。它是一种电化学元件,但在其储能的过程中并不发生化学应,这种储能过程是可逆的,也正是因此超级电容可以复充电放电数十万次。它是介于电容器和电池之间的储能器件,它既具有电容器可以快速充放电的特

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超级电容有什么用?

DDR采用菊花链拓扑结构时,由于信号传输线较长通常需要在DDR末端加上终端匹配电阻,端接的方式有很多,但是都是为了解决信号的射问题,通常为了消除信号的射可以在信号的源端或者终端进行解决,在源端处消除射是采用电阻串联的方式,在终端处消除

DDR加终端匹配电阻和不加信号质量的区别

1、ADUM220N0BRWZ 可靠的 5.0 kV rms 双通道数字隔离器、0 个向通道和 7.8mm 爬电距离ADuM220N 是一款采用iCoupler®技术的双通道数字隔离器。该隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与

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明佳达电子Mandy 2023-12-28 17:32:16
双通道数字隔离器ADUM220N0BRWZ,IKW25N120CS7、IKW40N65ES5 通孔 TO247-3【IGBT晶体管】

一、开关和放大器MOS管最常见的电路可能就是开关和放大器。1. 开关电路G极作为普通开关控制MOS管。2. 放大电路让MOS管工作在放大区,具体仿真结果可在上节文章看到。二、时序电路中作为相器使用下图示例电路中,芯片1正常工作时,PG端口高电平。如果芯片1、芯片2有时序要求,在芯片1正常工作后,使

MOS管常见的几种应用电路

注意数据线之间等长需要满足3W间距,后期自己检查一下其他组是否满足2.注意模拟信号尽量一字型布局3.跨接间距最少要保证1.5mm,一般建议2mm,有器件的地方可以不满足4.电源输出打孔要打在最后一个电容后面5.馈信号需要走10mil的线进

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跨接器件旁边尽量多打地过孔,间距最少1.5mm,建议2mm,有器件的地方可以不满足2.网口差分需要进行对内等长,误差5mil3.模拟信号需要一字型布局,走线加粗4.注意过孔不要上焊盘5.馈信号走线需要加粗到10mil6.注意确认一下此处是

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