双通道数字隔离器ADUM220N0BRWZ，IKW25N120CS7、IKW40N65ES5 通孔 TO247-3【IGBT晶体管】

1、ADUM220N0BRWZ 可靠的 5.0 kV rms 双通道数字隔离器、0 个反向通道和 7.8mm 爬电距离

ADuM220N 是一款采用iCoupler®技术的双通道数字隔离器。该隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器件和其他集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。这些器件的最大传输延迟为13 ns，在5 V下脉冲宽度失真(PWD)小于3 ns。具有严格的3.0 ns（最大值）通道匹配。

技术：磁耦合

类型：通用

隔离式电源：无

通道数：2

输入 - 侧 1/侧 2：2/0

通道类型：单向

电压 - 隔离：5000Vrms

共模瞬变抗扰度（最小值）：75kV/µs

数据速率：150Mbps

传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：13ns，13ns

脉宽失真（最大）：3ns

上升/下降时间（典型值）：2.5ns，2.5ns

电压 - 供电：1.7V ~ 5.5V

工作温度：-40°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

供应商器件封装：16-SOIC

基本产品编号：ADUM220

2、IKW25N120CS7 TRENCHSTOP™ IGBT7 S7为需要短路耐受能力/耐用性的所有工业应用提供各种1200V产品组合。IGBT7 S7是一款高效、耐受短路的分立式IGBT，饱和电压至少比其他器件低 10%。

该IGBT具有非常软的全额定EC7（发射器控制）二极管，可大幅降低IGBT饱和VCEsat和Qrr。IGBT7具有出色的可控性和短路耐受性。此外，该器件还具有出色的电气性能、更高的可控性、简单的EMI设计，以及在恶劣应用条件下可靠性更高。

描述：IGBT 沟槽型场截止 1200 V 55 A 250 W 通孔 PG-TO247-3

IGBT 类型：沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：55 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)：75 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，25A

功率 - 最大值：250 W

开关能量：1.2mJ（开），1.1mJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：150 nC

25°C 时 Td（开/关）值：21ns/160ns

测试条件：600V，25A，6 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)：150 ns

工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商器件封装：PG-TO247-3

基本产品编号：IKW25N

3、IKW40N65ES5 TRENCHSTOP™ 5 S5中速开关IGBT是L5和H5之间的链路以及10kHz和40kHz之间切换的地址应用。IGBT具有高效率，更快上市时间周期，降低了电路设计复杂性并优化了PCB物料清单成本。S5封装的特性有助于设计人员实现目标，而无需增加电路复杂性。

描述：IGBT 沟道 650 V 79 A 230 W 通孔 PG-TO247-3

IGBT 类型：沟道

电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：79 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，40A

功率 - 最大值：230 W

开关能量：860µJ（开），400µJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：95 nC

25°C 时 Td（开/关）值：19ns/130ns

测试条件：400V，40A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)：73 ns

工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商器件封装：PG-TO247-3

基本产品编号：IKW40N65

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