MachXO3 FPGA 系列是最小、成本最低的 I/O 可编程平台，旨在扩展系统功能并使用并行和串行 I/O 桥接新兴的连接接口。 MachX03 简化了新兴连接接口 MIPI、PCIe 和 GbE 的实施，例如通过将先进的小尺寸封装与片

说明LCMXO2-2000HC-4BG256C (MachXO2)可编程逻辑器件 (PLD) 由六个超低功耗、即时启动、非易失性 PLD 组成，可提供 256 至 6864 个查找表 (LUT) 的密度。此外，莱迪思半导体的 MachXO2

MSP430 系列超低功耗微控制器 (MCU) 包括多个器件，器件配备不同的外设集以满足各类应用的需求。此架构与多种低功耗模式配合使用，是延长便携式测量应用电池寿命的最优选择。 MSP430F524系列属于微控制器，配有四个16位定时器、一

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概述英飞凌CoolSiCTM MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。产品规格1、参数：IMZA120R040M1HXKSA1 （IMZA120R040M1H）FET 类型：N

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FS05MR12A6MA1BBPSA1 1200V SIC AG-HYBRIDD 汽车IGBT模块该电源模块采用新的 CoolSiCTM 汽车 MOSFET 1200V，针对电动传动系统应用进行了优化。特性4.2kV DC 1sec 绝缘高

带有 IGBT4 和二极管的 HybridPACK™ 驱动模块是一款符合汽车标准的电源模块，专为混合动力和电动汽车应用而设计。 产品 FS380R12A6T4LB 配有 PinFin 基板和高性能陶瓷。优势紧凑型设计直冷底板和高性能陶瓷集成

MachXO2 可编程逻辑器件 (PLD) 由六个超低功耗、即时启动、非易失性 PLD 组成，可提供 256 至 6864 个查找表 (LUT) 的密度。 MachXO2 系列 PLD 提供了多种特性，例如嵌入式块 RAM (EBR)、分布

产品概述IMW120R007M1HXKSA1 CoolSiC 1200V SiC沟槽式MOSFET将碳化硅的强大物理特性与提高器件性能、可靠性和易用性的独特特性结合在一起。CoolSiC 1200V SiC沟槽式MOSFET基于先进的沟槽半