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LTC4364CDE-1/LTC4364CDE-2/LTC4364CMS-1/LTC4364CMS-2/LTC4364CS-1/LTC4364CS-2均采用“浪涌抑制器+理想二极管控制器”的双重架构。通过控制外部N沟道MOSFET传输器件，
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升压到12V，还能输出原来的电流吗？手里的低压电源能供1A，接一块升压模块，把电压调到12V，输出是不是也能轻松达到1A？不能这样推断。升压转换器改变的是电压与电流的配合方式，不会凭空增加功率。输出端想多拿一点能量，输入端就要提供相应的能量
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驱动明明只有12V，MOS栅极怎么会冒出-4V？Gate Driver只输出0V和12V，示波器上却能看到Vgs瞬间掉到-3V、-4V，甚至伴随振铃。先别认定驱动芯片坏了。高di/dt、公共源极电感、Miller耦合和测量回路都会把这几个纳
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H桥的上管导通后，驱动芯片的自举电容升为24V，紧接着电容要放电，会不会放电至12V，栅极和源极电压几乎一样，导致上管又关断了？
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实际中，是不需要考虑限流吗各位老师好，问一下，PCB设计时，12V电源输入侧会加电解电容，上电瞬间电容相当于短路会有浪涌电流吗，看好多原理图也没加限流措施
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12V 经mos到充电芯片给电池充电，电池充电温度较高？ 描述: 图示12V 经mos到充电芯片给电池充电 问题: 电池充电温度较高 解决方案: 控制mos管工作在可变电阻区，从而分压，这样充电芯片入口的电压变低，使得充电电流变小 疑问: 可行性如何？
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一般电路设计的供电电压是固定的吗？比如先220v，通过转化为24V，然后依次转化12V、3.3V、5V、
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