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什么是PWM“死区”？
PWM是脉宽调制，在电力电子中，最常用的就是整流和逆变。这就需要用到整流桥和逆变桥。对三相电来说，就需要三个桥臂。以两电平为例，每个桥臂上有两个电力电子器件，比如IGBT。这两个IGBT不能同时导通，否则就会出现短路的情况。因此，设计带死区
在电子工程中，脉宽调制（PWM）技术是一项常见的微机控制技术，常用于控制电机、LED亮度等多种领域，然而在实际使用过程中经常会遇见“死区（Bad Time）”现象，它是什么？如何产生？如何解决？这些问题将在文中得到答案！1、PWM“死区”是
互补PWM不重叠，桥臂为何仍会直通？数字指令错开，不等于功率管已经关断 PWM 寄存器里的两路互补波形没有重叠，只能证明数字命令错开。驱动器传播延迟、栅极电荷、米勒平台、关断电阻、温度和器件离散性都会让实际导通边界移动。死区要在栅源电压与开
同步整流换上MOS，为何效率反而下降？同步MOS能降低导通压降，但只有门极窗口与副边电流方向重合时，这份理论优势才会变成整机效率 把肖特基换成低导通电阻MOSFET，损耗公式看起来更漂亮，实测效率却可能没有提升。轻载时驱动本身在耗能，死区太
体二极管已经反偏，MOS开通电流却突然抬高半桥两只MOS没有同时收到高电平，死区也留出来了，开通瞬间却仍冒出一股很高的电流。它可能不是驱动逻辑直通，而是另一只MOS体二极管留下的反向恢复电荷。死区期间负载电流先流过体二极管；换向时，对侧MO
LLC明明设计成ZVS，为什么实机还是硬开通？一台LLC样机，原理图参数按计算书设计，控制器也工作在“应该有ZVS”的频率区间。满载效率正常，但轻载一升温，半桥MOSFET的VDS尖峰突然变高；继续缩短死区，波形更糟；换成更高耐压MOS以后
Buck满载效率突然掉，别先怪MOS空载和半载效率都正常，一拉到满载，效率曲线突然往下掉，电感烫得比MOS还快。很多人第一反应是换更低RDS(on)的管子。但在Buck里，满载损耗是“多人合伙”：MOS导通、开关交叠、驱动、死区、输入输出电
如何正确计算死区
