本篇为《电子微组装可靠性设计（基础篇）》节选电子微组装封装技术，是用于电子元器件、电子微组装组件（HIC、MCM、SiP等）内部电互连和外部保护性封装的重要技术，它不仅关系到电子元器件、电子微组装组件自身的性能和可靠性，还影响到应用这些产品的电子设备功能和可靠性，特别是对电子设备小型化和集成化设计有

随着芯片产业迅速发展，芯片间数据交换也在成倍增长，传统的半导体封装已经无法满足巨大的数据处理需求。同时，芯片制造逐渐逼近摩尔定律的物理极限，芯片制程工艺提升放缓。在这个关键时期，3D、SiP等新型封装技术开始问世，由于封装技术在很大程度上影

HOT CHIPS大会上的演讲将设计分割成处理器本身和设计的I/O部分。处理器可以采用最先进、最昂贵的节点制造，而I/O则可以采用不够先进、较便宜的节点制造（通常落后一代）。下方图片是Intel的Lakefield芯片，它有一个I/O基片（采用非前沿的14纳米制程），10纳米制程的处理器，以及封装在顶部的动态随机存取存储器（DRAM）。这些都采用Intel的Foveros 3D技术组装。

随着集成电路技术沿摩尔定律发展至今，从第一代插孔元件、第二代表面贴装、第三代面积阵列，再到现在的芯片封装，这些封装技术以系统级封装技术（SiP）的实现奠定了基础，然而很少工程师知道，良好的SiP可明显改善电磁兼容和信号完整性问题。所谓的系统

芯片是电子产品的核心部件，它的存在可牵制着所有电子行业的发展，加上科技迭代更新，电子产品层出不穷，可以说没有芯片就没有电子产品。零基础学IC？选择凡亿教育！>>高速信号与IC芯片、IC&SiP芯片封装设计与信号众所周知，全球上拥有高端芯片制

SiP组件的失效模式主要表现为硅通孔（TSV）失效、裸芯片叠层封装失效、堆叠封装（PoP）结构失效、芯片倒装焊失效等，这些SiP的高密度封装结构失效是导致SiP产品性能失效的重要原因。一、TSV失效模式和机理TSV是SiP组件中一种系统级架构的新的高密度内部互连方式，采用TSV通孔互连的堆叠芯片封装

在电子工程领域内，封装技术对于芯片的稳定性、性能及成本都有着至关重要的影响，其中，SiP封装作为一种灵活且可扩展的封装形式，被广泛应用在各种实时通信应用程序，本文将谈谈SiP封装的分类及优缺点，希望对小伙伴们有所帮助。1、单列直插式封装（S

步入21世纪后，无线通信技术高速发达，越来越多的电子设备开始具备无线通信功能，在此过程中，SiP（Session Initiation Protocol，会话发起协议）功不可没，下面将谈谈SiP协议的概念及功能。STP是一个应用层信令协议，

随着电子信息技术的发展和社会的需求，电子产品迭代更新速度加快，逐渐向小型化、轻量化、高性能、多功能和低成本方向发展，而系统级封装（SiP）因为具备设计灵活、短周期、兼容性好、低成本等特点开始脱颖而出，成为工程师必须优先了解的一种理想封装技术

毫无疑问，在5G网络研究里，我国是位于全球顶级水平，拥有全球最大的5G网络建设基础和最广泛的5G用户数，华为和中兴等5G公司更是被美国封杀，而作为5G网络的重要协议之一，会话发起协议（SiP）更是迎来了春天。今天来聊聊SiP协议的五大功能。