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在制造高频功率器件时，通常会遇到击穿电压与集电极串联电阻对集电极材料电阻率要求矛盾的问题，这种情况下通过外延技术可以很好解决这类问题，那么很多人就好奇外延技术到底是什么？今天我们来谈谈外延。在单晶硅衬底上沿着原来的结晶轴方向延伸生长一层导电
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外延工艺作为常见的半导体器件制造工艺，一直以来是企业组织大力发展的重点，自然也成为电子工程师需要了解的基础知识，所以本文将谈谈外延工艺、质量和检验技术。外延系统和工艺过程：外延系统装置包括气体分配及控制系统、加热和测温装置、反应室、废气处理
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随着无线通信技术的飞速发展，以中国移动、中国电信、中国联通为首的运营商，正在积极向外延伸其5G业务，其中中国移动近期搞出了大事，创先研发首颗5G蜂窝物联网通信芯片。据媒体报道，中国移动旗下芯片公司中移芯昇发布了其首颗5G Redcap蜂窝物
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功率MOSFET管不管是平面结构、TRENCH结构还是SGT结构，内部P阱区与N 源极都会短接，然后一起连接到外部源极管脚，如图1所示。图1 功率MOSFET管内部结构那么，为什么内部P阱区与N 源极要短接在一起？功率MOSFET管内部结构都包含N外延层（漂移区）、P阱基区和N 源极区，这三个区形
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QFN焊盘内延加长，为何更易桥连散热盘？QFN外围焊盘向内外延伸时，Tin与Tout承担的作用并不相同 QFN外围焊盘向外延伸，能给焊接和检查留出空间；向内延伸却会吃掉与中心散热盘之间的间隙。封装尺寸表里的Tin、Tout不能当成一个总长度
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