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做开关电源设计的人都知道,传导干扰是个让人头疼的问题。整改起来费时间、费成本,很多时候加了 EMI 滤波器、换了屏蔽罩,效果还是不理想。其实,传导干扰的根源往往在功率环路的布局上。功率环路的面积越大、走线越长,产生的电磁干扰就越严重。说白了
近7天里,两条行业消息很值得电子类学生和初级工程师认真看:一条是 2026 年 6 月 26 日,onsEMI 宣布将以约70亿美元全股票方式收购Synaptics,强调把电源、感知、连接、计算与控制做成更完整的边缘AI平台;另一条是202
一块PCB板卡住英伟达AI帝国:Kyber NVL144确认延期超12个月,78层正交背板成制造"天堑"导语:据半导体研究机构SEMIAnalysis最新披露,英伟达下一代旗舰机架Kyber NVL144因核心PCB中板(正交背板)的制造工
汽车电子PCB设计外包公司推荐,做过车载项目的工程师在推荐做车载电子产品的朋友应该都有体会,汽车电子的PCB设计和消费类完全不是一个量级的事。AEC-Q标准、IATF 16949体系、宽温域可靠性、EMC/EMI合规——这些要求每一项都不是
散热器已经接地,为何EMI反而变高?高频接地看的是回流路径阻抗,不是万用表蜂鸣 开关管与散热器之间存在寄生电容,快速电压变化会把位移电流耦合到散热器。散热器接到哪里、连接多长、回路经过机壳还是线缆,会决定这股高频电流被就近收住,还是被送进更
开关节点铜皮做大,散热好了EMI为何更差?高dv/dt铜皮既是电气节点,也是向周边耦合的电场源 Buck开关节点铜皮加大后,导通电阻和局部温升可能改善;但面积越大,它与地、散热器、线缆和周边走线形成的寄生电容通常越大,位移电流与共模辐射也会
栅极电阻越小,MOSFET为何更危险?开关更快不等于更安全,栅极回路需要的是受控速度 栅极电阻越小,驱动器给栅极充放电越快,开关损耗可能下降;与此同时,峰值驱动电流、VDS过冲、栅极振铃、米勒误导通和EMI也可能变得更严重。选值必须用波形与
Y电容加大后,传导好了为何漏电流超了?Y电容越大,高频共模回流阻抗通常越低;同一颗电容也会让工频位移电流增加,EMI与安全必须一起收敛 传导骚扰在共模频段超标,把Y电容从小值换成大值,曲线往往会明显改善。可进入整机安全测试后,漏电流或接触电
空载EMI能过,满载为何突然超标?空载频谱漂亮,不代表滤波器在满载电流和热稳态下还能保持同样的电感与阻抗 开关电源空载测试能过,负载一拉高,传导噪声却在某段频率突然抬升。问题不一定来自开关节点本身变差,也可能是输入滤波器在大电流、共模偏置或
GaN开关更快,EMI为何反而更难压?GaN把开关损耗压低,也把封装、走线和共模回路里的寄生参数推到台前 GaN器件边沿更快,效率往往更有优势,可样机换管后却可能在几十兆赫以上多出振铃和噪声。器件没有“天生更差的EMI”,真正变化的是dv/

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