GaN材料由于其所具有的优良光电性能,而成为固态照明、数字处理、光电器件、功率器件等半导体材料与器件领域的研究热点。金属与半导体接触可以形成肖特基接触，也可以形成非整流的接触，即欧姆接触。欧姆接触不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。室温下n-GaN的电子亲和势为

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近年来，因为 5G 的应用，大家对射频氮化镓的关注度日益提升。Qorvo 方面也认为，GaN 非常适合提供毫米波领域所需的高频率和宽带宽。它可以满足性能和小尺寸要求，如下图所示。使用毫米波频段的应用需要高度定向的波束形成技术(波束形成将无线

GaN作为第三代半导体的典范正在被广泛使用，就连电梯间也能看到快充品牌直接拿GaN做广告语了。GaN做激光或者LED可以发出蓝光，也是被广泛研究和量产的产品。GaN器件目前被称为HEMT (High Electron Mobility Transistors)，这种高电子迁移率的晶体管用

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微波功率放大器主要分为真空和固态两种形式。基于真空器件的功率放大器，曾在军事装备的发展史上扮演过重要角色，而且由于其功率与效率的优势，现在仍广泛应用于雷达、通信、电子对抗等领域。后随着GaAs晶体管的问世，固态器件开始在低频段替代真空管，尤其是随着GaN，SiC等新材料的应用，固态器件的竞争力已大