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GaN的欧姆接触实验
GaN材料由于其所具有的优良光电性能,而成为固态照明、数字处理、光电器件、功率器件等半导体材料与器件领域的研究热点。金属与半导体接触可以形成肖特基接触，也可以形成非整流的接触，即欧姆接触。欧姆接触不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。室温下n-GaN的电子亲和势为
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肖特基接触（Schottky contact）是指金属与半导体材料相接触时，在界面处半导体的能带弯曲，形成一个势垒，称为肖特基势垒。这个势垒可以控制电子的流动，从而实现电流的整流和调制。由于功函数差导致界面处形成势垒，使得电流电压关系呈非线性。欧姆接触（Ohmic contact）则是指金属与半导体
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度大等优点在激光泵浦、激光武器、工业加工等领域具有广泛的应用。然而，大功率半导体激光器在长期工作的情况下或在高温等恶劣环境下往往达不到长效稳定的工作要求，即性能发生退化，直接影响了激光器的可靠性和系统模块的稳定性。电极退化是导致大功率半导体激光器失效的主要因素之一。欧姆接触不良是现阶段大功率半导体激
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