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产品简介
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMT是效率最高， 功率密度最高， 质量最佳的增强型功率晶体管。增强模式概念提供了快速的开启和关闭速度， 以及在芯片或封装级别上更好的集成路径。 CoolGaN™可实现更简单的半桥拓扑结构。
CoolGaN™ 600 V系列是根据特定的GaN（氮化镓）定制认证工艺研发而成， 该工艺远远优于市场上的其他GaN产品。
CoolGaN™ 600 V适用于电信， 数据通信和服务器SMPS以及无线充电， 充电器和适配器等。 它是市场上最坚固可靠的解决方案。 CoolGaN™产品系列以高性能SMD封装为基础， 充分发挥了GaN的优势。
产品
1、IGLR60R190D1XUMA1
FET 类型：N 通道
技术：GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1，6V @ 960µA
Vgs（最大值）：-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：157 pF @ 400 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：55，5W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TSON-8-6
封装/外壳：8-PowerTDFN
2、IGLR60R340D1XUMA1
FET 类型：N 通道
技术：GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 530µA
Vgs（最大值）：-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：87.7 pF @ 400 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：41.6W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TSON-8-7
封装/外壳：8-PowerTDFN
关键性能
› 600V功率器件的最佳FOM
› 非常适合硬， 软开关拓扑
› 优化开启和关闭
› 尖端的技术， 创新的解决方案和高容量
主要优势
› SMPS的最高效率
› 最高的功率密度， 小巧轻便的设计
› 表面安装封装确保充分利用GaN的开关功能
› 藉助强有力的驱动器IC产品组合而易于使用
注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！
