扫码关注
- 全部
- 默认排序
这周的主角是晶体管，严格的说是双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，1947年诞生）,后续我们还要讲到另一个分支，叫场效应管(Field effect Transistor，1952年诞生)。晶体管的诞生史可以戳小电科普篇|晶体管诞生记。晶体管被誉为20世纪最伟大的发
在电子元件中，MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）因其具备高输入阻抗、低噪声级良好的开关特性备受工程师的青睐，然而在使用MOS管时可能会遇见其失效现象，那么这些失效现象是如何形成的？1、雪崩失效（电压失效）当MOS管的漏源电压（BV
在电子设计中，MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为关键元件，其稳定性直接关系到整个电路的性能和可靠性。但如果遇到MOS管雪崩失效，必须提前做好预防措施，那么如何做？1、如何判断MOS管是否雪崩失效？①观察电压波形在MOS管工作时，使
在开关变压器中，极限伏秒容量VTmax参数，是确保开关电源稳定运行的关键指标之一，其重要性不亚于晶体管的最大集电极电压BVceo参数。但有很多小白不太清楚这个参数，所以开课讲讲。1、衡量承受能力伏秒容量直接反映了开关变压器在电压幅度与时间长
随着业界对增加晶体管密度、增加带宽和降低功耗的需求越来越迫切，许多 IC 设计和封装团队都在深入研究如何增加垂直堆叠多个芯片裸片（die）和小芯片（chiplet）的方案。这种被称为3D-IC 的技术有望实现许多超越传统单裸片在单平面设计的优势。其架构可以将多个同质和异质的裸片/小芯片 Chiple
电子管是一种使用真空或者气体环境中电子输运现象的通用术语。主要分为热电子管、冷阴极管、热阴极管和特种电子管等多种类型。其中，最常见的是真空电子管，如三极管、二极管、真空管等。晶体管是一种半导体器件。它是在1947年由Bardeen、Brat
简介在生成式人工智能、高性能计算 （HPC） 和数据中心的推动下，人们对计算能力的需求不断增长，这也刺激了对先进 CMOS 工艺和封装技术的需求。为满足这一日益增长的需求，半导体行业正在推动到 2030 年实现万亿晶体管三维集成电路（3DIC）系统级封装（SiP）解决方案。本文将探讨台积电推动采用c
在电子设计中，晶体管通过特定的电流分配关系，可有效控制集电极电流，是一个非常重要的半导体器件，但很多电子小白不太清楚其实现过程，所以本文将针对这个问题进行详谈，希望对小伙伴们有所帮助。1、电流分配关系晶体管的发射极电流（Ie）等于基极电流（
集成电路是一种将多个电子器件（如晶体管、电阻、电容等）集成在一块半导体芯片上的电子元件。在一个芯片上通过微影技术将各种元器件联系在一起，形成一个完整的电路功能单元。集成电路的出现使得电子设备得以实现高度集成和小型化，是现代电子技术中最基础和
