一、W25M02GW1.8V 2G位（2 X 1G位）串行SLC NAND闪存1、简介：W25M02GW（2 X 1G位）串行MCP（多芯片封装）闪存基于W25N串行SLC NAND SpiFlash®系列，将两个单独的W25N01GW芯片

跟随着IC集成电路的发展，芯片的频率越来越高，噪声的容忍度越来越小，这就对IC设计中的封装设计提出了更好的要求，普遍的引起了越来越多工程师的重视。为了能够对IC芯片设计中存在的寄生参数准确的分析和数据量化及参数优化，我们特意开设了此次的直播课程，这次的课程目的就是和大家探讨在IC芯片封装设计中存在的寄生参数情况，比如电阻，电容，电感，电导的传输线等效模型等，及如何提取寄生模型优化回流路径中的电感，电阻，和减少自感和互感的参数等。

SiP组件的失效模式主要表现为硅通孔（TSV）失效、裸芯片叠层封装失效、堆叠封装（PoP）结构失效、芯片倒装焊失效等，这些SiP的高密度封装结构失效是导致SiP产品性能失效的重要原因。一、TSV失效模式和机理TSV是SiP组件中一种系统级架构的新的高密度内部互连方式，采用TSV通孔互连的堆叠芯片封装

随着5G开始商用落地，5G基站越建越多、5G网络范围越来越大、5G产品逐渐层出不穷。在此趋势下，5G SoC需求日益增长，连带着高通、三星、联发科等将重点集中在5G SoC。不会芯片封装？凡亿教育教你！IC&SIP芯片封装设计与信号目前联发

随着集成电路技术沿摩尔定律发展至今，从第一代插孔元件、第二代表面贴装、第三代面积阵列，再到现在的芯片封装，这些封装技术以系统级封装技术（SIP）的实现奠定了基础，然而很少工程师知道，良好的SIP可明显改善电磁兼容和信号完整性问题。所谓的系统

主题；IC&SIP芯片封装设计与信号|电源完整性|电热仿真分析和建模1、IC&SIP产业封装设计验证工程师的前途集成电路IC&SIP设计处于集成电路产业的龙头地位，对产业整体的发展起着带动作用。未来几年内我国芯片生产有望每年以12%的速度递增，因此IC产业设计专业人才处于极度供不应求的状态。可以这样说，这正是我国很大程度上没有足够的IC产业设计人才的根源。

自2020年初汽车行业爆发的芯片短缺现象，卷席到各行各业中，整个半导体供应链受到冲击，尤其是2021年消费者和新能源汽车企业的需求反弹与半导体原材料上涨三大因素恰好叠加在一起，为半导体供应链带来了巨大的麻烦。不会电路仿真，不懂芯片封装？来看

在微电子封装领域，倒装芯片封装工艺（Flip-Chip Chip Scale Packaging，简称FCCSP）是很多大厂会选择采用的先进芯片封装技术，然而很多电子工程师对其了解不深，下面将谈谈FCCSP，希望对小伙伴们有所帮助。1、什么

近日，国家知识产权局官网公开的信息显示，华为技术有限公司公开了“一种芯片堆叠封装及终端设备”专利。据摘要显示，本公开涉及半导体技术领域，其能够在保证供电需求的同时，解决因采用硅通孔技术而导致的成本高的问题。专利文件显示，该芯片堆叠封装包括：

答：串扰,就是指一条线上的能量耦合到其他传输线,它是由不同结构引起的电磁场在同一区域里的相互作用而产生的。串扰在数字电路中非常普遍地存在着，如芯片内部、PCB板、接插件、芯片封装，以及通信电缆等等。    串扰可能是数据进行高速传输中最重要的一个影响因素了。它是一个信号对另外一个信号耦合所产生的一种不受欢迎的能量值。根据麦克斯韦定律，只要有电流的存在，就会有磁场存在，磁场之间的干扰就是串扰的来源。这个感应信号可能会导致数据传输的丢失和传输错误。 所以串扰对