扫码关注
- 全部
- 默认排序
随着科技的飞速发展，开关电源作为电子设备的心脏，如何提升其性能及效率是不少工程师关注的焦点，除此之外还有其他核心要素也值得关注。1、功率半导体器件性能新型材料应用：关注碳化硅（SiC）等新型功率半导体材料的应用，以提高耐高温、高频大功率器件
简介典型的半导体电容在pF或nF范围内。许多商业上可用的LCR表或电容计补偿后可以使用适当的测量技术来测量这些值，然而，一些应用需要在飞秒法（fF）或1e-15范围内进行非常灵敏的电容测量。这些应用包括测量金属到金属的电容，晶片上的互连电容，MEMS器件，如：开关，纳米器件端子之间的电容。如果没有使
Pete Hulbert, 行业顾问Yuegang Zhao, Keithley 资深应用工程师概述对于研究半导体电荷捕获和退化行为来说，交流或脉冲应力对典型的应力测试是一个有用的补充。NBTI（负偏置温度不稳定性）和TDDB（随时间变化的介电击穿）试验包括应力/测量循环。所施加的应力电压通常是一
如果你有了解俄罗斯半导体近况，那么一定不会错过俄罗斯要打造光刻机的新闻，虽然起步较晚，但俄罗斯很有信心，可以自主完成光刻机的研发工作，目前已经取得一定的成果。近期，莫斯科市长谢尔盖·索比亚宁(Sergei Sobyanin)公开宣布，来自莫
在电子电路中，二极管和三极管是两种最常用的半导体器件。尽管它们在电子元件的功能上有许多相似之处，但二者的结构、功能及应用各有不同。1. 结构二极管二极管由两个不同掺杂的半导体材料（P型和N型）构成，形成一个PN结。它有两个端口，分别是阳极（
半导体行业研究人员长期以来一直期望能有更好的晶体管通道材料来取代硅，但硅器件的持续改进也让这种变化不断延后。硅继续提供着无与伦比的器件性能、可制造性和成本效益。然而，近年来，“硅的终结”这一说法变得越来越可能。晶体管需要更薄的通道来保持足够的静电控制，但随着芯片厚度降至3纳米以下，表面散射会导致通道
芯粒正日益成为半导体行业瞩目的焦点，然而，其商业化进程仍需跨越重重障碍，包括建立更多标准、提升建模技术与方法，以及投入巨额资金与实验。但芯粒的应用前景颇为明朗。它们能够加速产品上市时间，确保在各种工艺节点上都能为特定工作负载或应用带来最佳性能，且通常较大型单片SoC拥有更高的良率。然而，当前正上演着
电容电压（C-V）测量通常采用交流测量技术。而一些电容测量需要直流测量技术，被称为准静态C-V（或QSCV）测量，因为它们是在非常低的测试频率下进行的，即几乎是直流的。这些测量通常包括步进直流电压和测量所产生的电流或电荷。一些用于准静态C-V测量的技术包括 反馈电荷法和线性斜坡法。4200A-SCS
FinFET技术自2011年商业化以来，已经统治半导体行业十余年，但随着工艺节点推进至3nm以下，其性能增长濒临物理极限，因此，GAAFET技术问世，逐渐成为下一代半导体主流。FinFET全称Fin Field-Effect Transis
中国EDA市场起步较晚，大都被国外企业垄断，为了发展本土EDA产业，中国政府做出多番努力，目前知名的国产EDA有华大九天等。据媒体报道，华大九天披露重大资产重组预案，拟以发行股份及支付现金方式收购芯和半导体100%股权，交易完成后，芯和半导
