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USB座子焊盘应该放在里边USB2.usb这两根信号需要控90Ohm的阻抗,走差分3.SD卡信号需要等长处理,误差300mil4.232 TX和RX尽量不同层布线,如果同层建议满足5W以上5.走线尽量不要从电阻电容中间穿以上评审报告来源

90天全能特训班15期allegro-谢一汉-STM32作业评审

晶振需要包地处理2.此处一层连通无需打孔3.差分换层尽量在旁边打上一对地过孔,空间足够尽量包地处理4.差分出线尽量耦合5.长焊盘出线不规范,尽量从中间拉出来在耦合6.注意过孔不要上焊盘7.SD卡未添加class进行等长,误差300mil8.

90天全能特训班16期 AD-程顺斌-STM32-作业评审

Micro SD卡是一种极细小的快闪存储器卡,其格式源自SanDisk创造,原本这种记忆卡称为T-Flash,及后改称为Trans Flash;而重新命名为Micro SD的原因是因为被SD协会 (SDA) 采立。另一些被SDA采立的记忆卡包括Mini SD和SD卡。其主要应用于移动电话,但因它的体积微小和储存容量的不断提高,已经使用于GPS设备、便携式音乐播放器和一些快闪存储器盘中。

Micro SD卡/TF卡PCB设计详细规范

电源信号走线需要加粗处理2.电源座子输出电流尽量铺铜处理满足载流3.USB差分包地,地线上要多打地过孔,建议100-150mil一个4.RS232电容属于升压电容,走线需要加粗处理5.走线尽量不要从器件中间穿过,后期容易造成短路6.SD卡

90天全能特训班21期 -AD-二维的-STM32

晶振靠近管脚放置,尽量少打孔换层,包地处理2.差分包地地线上需要多打地过孔3.器件摆放尽量对齐处理4.注意过孔不要上焊盘后期自己检查一下过孔上焊盘和过孔重叠5.信号包地应该用地网络,不要用电源6.SD卡组内误差不能超过400mil7.注意走

90天全能特训班18期 allegro -觅一惘 -STM32

地缘信号走线需要加粗处理,尽量满足载流2.SD卡需要靠近板框放置3.SD卡信号线需要进行等长处理,误差300mil4.焊盘出线不规范,焊盘中心出线至外部才能拐线处理,避免生产出现虚焊5.晶振需要走内差分,并包地处理,在地线上均匀的打上地过孔

邮件-2514828285-STM32最小系统-作业评审

晶振需要报地处理,并打上地过孔2.SD卡的数据线需要进行等长,误差300mil3.电池的电源信号需要加粗满足载流4.差分包地尽量包全,并在上面打上地过孔5.电源走线线宽尽量一致以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审如需了解

90天全能特训班17期AD-K-STM32

差分对内等长误差5mil2.晶振需要包地处理3.SD卡信号线需要等长处理,误差300mil4.滤波电容靠近管脚放置,保证一个管脚一个以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审如需了解PCB特训班课程可以访问链接或扫码联系助教:

90天全能特训班17期pads-CZS-STM32

RS232的升压电容走线需要加粗处理2.USB差分对内等长误差5mil3.注意焊盘出线规范,焊盘中心出线至外部才能拐线处理,避免生产出现虚焊4.注意电池供电,走线需要加粗处理,满足载流5.SD卡数据线误差尽量控制300mil6.晶振尽量包地

90天全能特训班21期AD-WappleGN-STM32

差分对尽量少换层差分对内等长误差5mil232模块C+,C-;V+,V-所接的电容属于升压电容,注意布 局尽量靠近,走线加粗。SD卡模块数据线整组包地处理以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审如需了解PCB特训班课程可以访

90天全能特训班21期-A.涤生-AD21_第七次作业-AD- STM32最小系统板PCB设计