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1、碳化硅（SiC）模块 – EliteSiC主驱逆变器功率模块900V，单侧直接散热1.7mOhm，900V，6-PackNVXR17S90M2SPB是一款单侧直接散热1.7mOhm，900V，6-Pack EliteSiC功率模块，适用
这些1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列针对高功率应用进行了优化，如UPS、电机控制和驱动、开关模式电源、太阳能和储能系统、电动汽车充电、高压DC/DC转换器等。该系列基于第三代技术，多种多样的导通电阻和封装选项使设计人员能够根据应
随着时代发展，目前已经发展之第三代半导体材料，第一代至第三代类型如下：第一代半导体材料以传统的硅（Si）和锗（Ge）为代表，是集成电路制造的基础，广泛应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中，90%以上的半导体产品 是用硅基材料制作的；第
说明UnitedSiC UF3C高性能SiC FET是共源共栅碳化硅(SiC)产品，将高性能G3 SiC JFET与共源共栅优化Si MOSFET共同封装，以生产标准栅极驱动SiC器件。该系列具有超低栅极电荷，非常适合开关感性负载和需要标准
众所周知，半导体大多数原材料属于不可再生能源，许多研究机构及科学家都在努力研发，如何从一定资源提取半导体原材料，降低其制造成本。近期，武汉科技大学宣布，该校材料学部“志同‘稻’合”学生团队采用低温镁热技术，成功从稻杆、稻壳中提取制作一种半导
最近遇到一个问题--大面积银烧结(Large area sintering，LAS)可行性，本着不懂就学的理念，今天我们就来聊一聊这个话题。前言首先，为了发挥碳化硅的优异性能，传统硅基的模块封装在不断地发展，新的封装材料和技术在不断地被挖掘。其中，新的封装形式得属车规的花样最多，但都涉及到一个技术-
SiC | 器件特点
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点~01功率器件要求功率半导体器件作为功率变换系统的核心器件，目前应用最多的仍旧是IGBT，在很多时候还需要搭配合适的反向并联二极管。任何情况下，功率器件都是在"导通"和"截止"两个状态之间切换，类似于集成电路中的逻辑器件，通过切换来达到电力转换的需求，切换频率一般在1k
随着科技的飞速发展，开关电源作为电子设备的心脏，如何提升其性能及效率是不少工程师关注的焦点，除此之外还有其他核心要素也值得关注。1、功率半导体器件性能新型材料应用：关注碳化硅（SiC）等新型功率半导体材料的应用，以提高耐高温、高频大功率器件
随着宽禁带半导体这几年的发展，在越来越多的应用领域可以看到他们的身影，混迹风光储的我最近也开始遇到过一些case，一些认知可以用从小熟知的一句话来概括，“纸上得来终觉浅，绝知此事要躬行！”今天想跟大家聊一聊关于碳化硅双脉冲测试中遇到的串扰问题。碳化硅具有更快的切换速度（更短的切换时间），较低的损耗，
碳化硅（SiC）MOSFET是一种基于碳化硅材料的功率半导体器件，它结合了MOSFET的优点和SiC材料的特性，提供了比传统硅基MOSFET更优越的性能。以下是对其基本结构的分析：一、主要结构部分1. 碳化硅衬底SiC MOSFET的衬底是
