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(半导体)基于第三代技术、C3M0075120K1、C3M0032120J2、C3M0032120K1 1200 V碳化硅 (SiC) MOSFET

2024-06-20 13:35
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这些1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列针对高功率应用进行了优化,如UPS、电机控制和驱动、开关模式电源、太阳能和储能系统、电动汽车充电、高压DC/DC转换器等。该系列基于第三代技术,多种多样的导通电阻和封装选项使设计人员能够根据应用选择合适的器件。将Wolfspeed的1200 V碳化硅二极管与碳化硅MOSFETs配对,为要求苛刻的应用创造了更高效率的强大组合。


C3M0032120K1 1200 V, 32 mΩ, 63 A, TO-247-4 通孔

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV

Id-连续漏极电流:69 A

Rds On-漏源导通电阻:57.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 19 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Qg-栅极电荷:118 nC

最小工作温度:- 40°C

最大工作温度:+ 175°C

Pd-功率耗散:341 W

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:18 ns

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

晶体管类型:1 N-Channel

典型关闭延迟时间:32 ns

典型接通延迟时间:25 ns


C3M0032120J2 1200 V, 32 mΩ, 74 A, TO-263-7 表面贴装

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV

Id-连续漏极电流:68 A

Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 19 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.7 V

Qg-栅极电荷:111 nC

最小工作温度:- 40°C

最大工作温度:+ 175°C

Pd-功率耗散:277 W

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

晶体管类型:1 N-Channel

典型关闭延迟时间:25 ns

典型接通延迟时间:15 ns


C3M0075120K1 1200 V, 75 mΩ, 32 A, TO-247-4 通孔

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV

Id-连续漏极电流:30 A

Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 19 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Qg-栅极电荷:53 nC

最小工作温度:- 55°C

最大工作温度:+ 150°C

Pd-功率耗散:114 W

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14 ns

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

晶体管类型:1 N-Channel

典型关闭延迟时间:38 ns

典型接通延迟时间:30 ns


特性

整个温度范围内稳定的RDS(ON)

提供带独立开尔文源引脚的封装选项

极快切换

减少对散热器的需求


应用

太阳能逆变器和储能

车载快速DC电动汽车充电系统

电机控制和驱动

焊接和感应加热

辅助电源

高压DC/DC转换器


碳化硅 (SiC) MOSFET系列器件:

E3M0160120D

E3M0160120K

E3M0045065K

E3M0013120K

E4M0045075J2

E4M0025075J2

E4M0025075K1

E4M0015075J2

E4M0015075K1

C3M0032120K1

C3M0032120J2

C3M0075120K1

C3M0075120J2

C3M0160120K1

C3M0040120J2

8.png

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