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浅沟槽隔离图案化提高在 FD-SOI CMOS 技术中集成的单光子雪崩二极管的光子探测概率

简介单光子雪崩二极管（SPAD）凭借其在近红外领域的高灵敏度和高速度，已成为飞行时间测量、面部识别和遥测等应用中不可或缺的光电探测器。光子探测概率（PDP）是 SPAD 器件的关键性能指标之一，它代表了 SPAD 的灵敏度，被定义为被吸收的入射光子产生雪崩事件的概率。在本文中将探讨创新方法，以提高集

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单光子雪崩二极管浅沟槽隔离图案

浅沟槽隔离图案化提高在 FD-SOI CMOS 技术中集成的单光子雪崩二极管的光子探测概率

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