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作为组成芯片的基本元件，晶体管的尺寸和数量多少将决定着芯片的性能大小，为了尽可能达到芯片，晶体管早已接近物理极限，其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。据媒体报道，中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究员狄增峰所带领的团队，成功开发出
在电子电路设计中，MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）基本上是串联状态，但有时候可能会并联，这是为了提高电路的电流承载能力或增加功率输出，但也带来许多问题，其中之一是是否需要对称？首先针对这个问题，答案是“是的”！MOS管并联时，其走线
简介制造实用量子计算机的竞赛是当代最激动人心的技术前沿之一。量子计算机有望在药物发现、材料科学、金融建模和人工智能等领域释放出新的能力，其速度甚至比最强大的超级计算机还要快。英特尔作为硅芯片制造领域的巨头，正在利用其数十年的经验，在这场竞赛中采取一种独特的方法。通过采用在单个芯片上制造数十亿个晶体管
众所周知，晶体管是集成电路的基本单元，可调控由电子火空穴等载流子形成电流的大小。是所有电子产品不可或缺的核心组件之一。一般来说，载流子与周围环境处于热平稳状态，我们称之为“稳态”，如果使用电场加速等方法，可提升载流子的能量，使其成为“热载流
在高速电子开关中，很多电子工程师都在发愁过电压问题，过电压的存在可能对关键元件如IGBT（绝缘栅双极型晶体管）造成严重损害。为了解决这个挑战，雪崩二极管应运而生。1、雪崩二极管是什么？雪崩二极管是一种利用半导体内部载流子碰撞电离和渡越时间效
推挽电路实际上就是两个不同极性晶体管间连接的输出电路。推挽电路采用两个参数相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于电路中，每个管子负责各自正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小效率高。推挽式电源由于结构简单，变压器磁芯利用率高，电路工作时
MOS功率开关
首先祝大家五一快乐，今天翻看私信，看到有个朋友留言IGBT，本来计划是想先讲一下双极型晶体管后才衍生讲MOS，那既然有朋友想要了解，那我今天就先把MOS和IGBT都简答讲一下。 我们知道在开关电源中，功率MOS是最常选用的功率开关器件，在大多是场合下，它的成本和导通损耗
本文要点超大规模集成电路 (Very large scale integration，VLSI) 是一种主流的集成电路 (IC) 设计模式。芯片尺寸微型化有助于降低单个晶体管的功耗，但同时也提高了功率密度。先进封装的低功耗设计趋势势头未减，而更新的技术有助于在不牺牲计算性能的情况下降低器件的功耗。如
压电陶瓷喇叭驱动电路
由IC直接驱动的电路压电扩音器的普通驱动电路是由IC直接驱动的电路。压电扩音器根据从IC输入的信号进行驱动，从而进行鸣动。因此，鸣动频率和声压级根据从IC输入的信号的频率和电压而变化。图1是用IC直接驱动扩音器的电路示例。图1 由IC直接驱动的电路使用晶体管的电路图2是在图1的电路中同时使用晶体管和
补充直流分析中BJT三种状态的等效模型 上节课已经学习了晶体三极管的三种工作状态：截止、放大、饱和，学会如何去区分这三种状态，这里稍作归纳和整理。● 截止状态是指晶体管基极没有电流，即IBQ几乎为零，导致ICQ也很小，就像整个晶体管没有导通一样。至于多么小截止，取决于电路的具体要求。一般情况下，认定
