RS232这几个电容属于生压电容，走线需要加粗2.VBAT电源尽量加粗到20mil3.USB差分对内误差5mil4.差分包地，地线上尽量多打过孔以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审如需了解PCB特训班课程可以访问链接或扫

VBAT：给后备区域供电，维持包括RTC/BKP寄存器等在内的一些数据的保存。

通常情况ESD保护电路如下当系统没有干扰，正常工作时，ESD器件可以忽略，几乎不起作用当外部接口电压超过ESD器件的击穿电压（VBR）,ESD器件开始起作用，并将电流分流到地。实际ESD器件的工作电压（VRWM）与击穿电压（VBR）的区别，

1. 三极管的基本特性：三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管和PNP型三极管两种，符号如下：  2.  三极管的正确应用（1）NPN型三极管，适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况。只要基极电压高于射极电压（此处为GND）0.7V，即发射结正偏（VBE为正），NPN型三极管即可开始导通。基极用高电平驱动NPN型三极管导通（低电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GN

一、名词解析（1）VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压（2）VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压;（3）VSS：S=series 表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压（4）VEE

VBAT：给后备区域供电，维持包括RTC/BKP寄存器等在内的一些数据的保存。

通常情况ESD保护电路如下当系统没有干扰，正常工作时，ESD器件可以忽略，几乎不起作用当外部接口电压超过ESD器件的击穿电压（VBR）,ESD器件开始起作用，并将电流分流到地。实际ESD器件的工作电压（VRWM）与击穿电压（VBR）的区别，

通常情况ESD保护电路如下当系统没有干扰，正常工作时，ESD器件可以忽略，几乎不起作用当外部接口电压超过ESD器件的击穿电压（VBR）,ESD器件开始起作用，并将电流分流到地。实际ESD器件的工作电压（VRWM）与击穿电压（VBR）的区别，选择ESD器件应该选择系统工作电压小于ESD器件的工作电压（

带你干所在层的内部需要挖空处理2.天线做隔层参考，需要挖空第二层3.差分对内等长处理不当，锯齿状凸起高度不能超过线距的两倍4.晶振需要走内差分，并包地，多打地过孔5.注意数据线等长需要满足3W规则6.地址线也需要满足3W规则7.网口差分需要

当我们设计上接触一个全新的RF芯片,要求我们能够快速的了解这颗芯片RF部分电路的性能指标及对外围器件的要求,还要快速的做好这部分的电路设计工作时,我们最首要需做的就是仔细阅读并理解芯片规格书和参考板的设计及注意事项,这对于我们第一版设计的成败起到很关键的作用,特别是有些RF芯片和RF外围的某些特定的RF器件(如外加PA LNA BPF等)配合这一块尤为重要。走线及阻抗控制的好坏直接会影响到整个RF部分的后期调试指标的好坏,所以说电路设计初期对于RF芯片的EVB板的设计要求一定要参考,这样才能事半