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DDR拓扑结构的详细解析
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USB\SD器件放反，焊盘朝里面sd走线有空间单根包地打孔，没有空间整组包地打孔处理差分换层旁边打回流地过孔同层器件中间不可以穿线232模块升压电容走线加粗，Rx、tx走线同层要5间距以上走地线打孔隔开尽量靠近焊盘附近布局，走线尽量短不要绕
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点击上方蓝字，关注微联智控工作室可点击右上角的 …，分享这篇文章在一些不使用操作系统的单片机软件工程里面，除了汇编启动文件之外，普遍认为程序入口就是main函数，很多程序代码都是从main函数开始进行分析的。而对于RT-ThRead实时操作系统，程序在跑到main函数之前，其实是进行了一系列的启动流
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