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栅压继续加高，MOS总损耗会更低吗？把MOSfET栅压从8V抬到10V，RDS(on)可能下降，整机效率却未必继续提高。核心判断是：更高VGS会改善导通，却也让驱动器每秒搬运更多栅极电荷。导通损耗、驱动损耗、开关速度和额定值必须一起核算，不
在现代ULSI电路中沟道热载流子 (CHC) 诱导的退化是一个重要的与可靠性相关的问题。载流子在通过MOSfET通道的大电场加速时获得动能。当大多数载流子到达漏极时，热载流子（动能非常高的载流子）由于原子能级碰撞的冲击电离，可以在漏极附近产生电子—空穴对。其他的可以注入栅极通道界面，打破Si-H键，
LLC明明设计成ZVS，为什么实机还是硬开通？一台LLC样机，原理图参数按计算书设计，控制器也工作在“应该有ZVS”的频率区间。满载效率正常，但轻载一升温，半桥MOSfET的VDS尖峰突然变高；继续缩短死区，波形更糟；换成更高耐压MOS以后
凡亿电源研发反激电源一启动就“打嗝”，别急着怀疑变压器：先盯住 VCC 和 CS 两条波形封面素材：Power Electronics News，反激 MOSfET Drain 振铃实测波形反激样机很容易遇到一种让人头疼的现象：上电以后，输
栅极电阻只差几欧姆，为什么EMI和MOS温升都变了？MOSfET栅极串联电阻看起来只是几欧姆的小器件，却直接参与控制开关速度。阻值变大可降低dv/dt、抑制SW振铃和EMI，但也会拉长Miller平台，让VDS与IDS重叠时间增加，带来更高
MOSfET参数都不错，为什么反向恢复还会把尖峰拉高？同步Buck和半桥里，MOSfET体二极管只导通很短时间，也可能在下一次换流时带来很大的反向恢复电流。Qrr不只增加损耗，还会和功率环路寄生电感一起制造SW尖峰、振铃和EMI。排查时要把
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