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硬件保护 · 继电器 · 感性负载继电器一断电，MOS为什么偏偏在这时被打坏？线圈电流还没准备停开关关断了，电感电流不会同一瞬间归零继电器线圈是感性负载。驱动关断时，线圈会用反向电压维持原有电流；如果没有受控续流路径，开关器件可能承受高压尖
接口设计 · 电平转换 · 开漏与推挽3.3V和5V之间加颗MOS，就能双向转换？这类电路只适合特定接口电平转换方案先由输出结构和方向决定，再讨论 MOS、上拉或专用芯片 图 1 双线开漏接口 MOS 电平转换电路常见 MOS 双向电平转
嵌入式硬件 · CMOS输入 · 默认状态未使用的CMOS输入脚悬空，程序没碰它为什么系统还会乱？未使用不等于没有电气行为，CMOS 输入仍需要一个可证明的默认状态 图 1 悬空 CMOS 输入受耦合、漏电与上电瞬态影响的示意CMOS 输
开关电源 · 尖刺 · 栅极电阻与RC开关节点有尖刺，栅极电阻和RC怎么选？栅极电阻减慢边沿，RC吸收消耗振铃能量 图 2 开关节点周围的寄生电感和节点电容会交换能量栅极电阻和RC吸收都可能让尖刺变小，但作用不同。前者让MOS开关慢一点
MOS耐压够了，关断时为何仍会击穿？BVdss只给出电压门槛，关断还要核对尖峰与雪崩能量 感性负载关断时，电流不能瞬间归零。寄生电感会把漏极电压抬高；若续流或钳位路径不足，MOS进入雪崩并在结区耗散储能。母线低于额定耐压，只能说明稳态有余量
SPI时钟没乱，为何两颗从机一起回话？共享MISO的前提，是任一时刻只有一颗从机驱动它 SPI的SCK和MOSI可以同时送到多颗从机，但每颗从机需要独立片选。若两路CS重叠，或未选中器件没有释放MISO，两颗推挽输出可能同时驱动一条线，出现
栅极电阻越小，MOSFET为何更危险？开关更快不等于更安全，栅极回路需要的是受控速度 栅极电阻越小，驱动器给栅极充放电越快，开关损耗可能下降；与此同时，峰值驱动电流、VDS过冲、栅极振铃、米勒误导通和EMI也可能变得更严重。选值必须用波形与
继电器线圈一断电，驱动管为何最危险？继电器断电时，线圈电流不会听从控制信号立刻消失；没有释放路径，它会用高电压强行续流驱动管关断的瞬间，继电器线圈仍存着磁场能量。若续流二极管方向、位置或COM连接错误，电流就会转向寄生电容和驱动管雪崩通道，
LLC已经实现ZVS，MOSFET为何仍会失效？看到开通前VDS接近零，只能证明一个瞬间；启动、轻载和容性区仍可能让MOSFET重新承受硬应力 LLC调试里，“已经ZVS”常被当成MOSFET安全的结论。问题是软开关成立有明确边界：谐振电流
尖峰压下去了，RCD为何仍会发热？RCD把MOSFET关断尖峰压低时，漏感能量并没有消失，只是被引到电容和电阻里重新分配 反激电源的VDS尖峰过高，把RCD的电阻调小、电容调大，波形很快就“好看”了。可运行一段时间后，箱位电阻温度却明显偏高
