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Littelfuse全新50A单向瞬态抑制二极管阵列系列适用于消费类电子产品-SP1250分散式单向瞬态抑制二极管采用专有的硅雪崩技术制造。该二极管阵列可为消费电子设备提供高ESD（静电放电）保护。
众所周知，随着两年前的芯片短缺现象全面爆发，MCU芯片价格高居不下，一直是处于供不应求的状态，涨价幅度高达上百倍。然而，近日，大火的MCU芯片市场竟迎来报价雪崩的困境，其中消费型MCU受到的影响最大。据业界人士表示，MCU或将成为继驱动IC
近日，央视财经报道了芯片市场价格波动趋势大的情况，部分芯片价格出现雪崩，暴跌跌幅高达九成。而各国仍在急需提高芯片产能，半导体厂商也纷纷制定扩产计划，导致芯片库存剩余量创10年历史新高记录。举个例子，某款芯片在2021年“缺芯潮”价格最高可达
自从2020年爆发芯片短缺局部现象，逐渐发展成全球范围的“缺芯潮”，涉及多种行业，受害最大的莫过于新能源汽车和燃油汽车，尤其是前者，多家新能源汽车厂商被迫减产停产，延长交付时间，纷纷提高价格，涨价幅度高达四五成。然而到2022年初，困扰汽车
功率MOSFET的数据表中，通常列出了包括单脉冲雪崩能量EAS、单脉冲雪崩电流IAS、重复脉冲雪崩能量EAR、重复脉冲雪崩电流IAR等参数，许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这些参数对系统的影响，以及在哪些应用条件下需要考虑
在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及在设计应用中注意事项。一、半导体器件击穿原理PN结I-V曲线如图[1]所示：PN结正向导通，反向截止；反向电压超过一定限值VBR，器件发生电击穿；正向导通时，电流超
在高速电子开关中，很多电子工程师都在发愁过电压问题，过电压的存在可能对关键元件如IGBT（绝缘栅双极型晶体管）造成严重损害。为了解决这个挑战，雪崩二极管应运而生。1、雪崩二极管是什么？雪崩二极管是一种利用半导体内部载流子碰撞电离和渡越时间效
雪崩二极管是一种特殊的半导体器件，其独特的雪崩击穿特性在电路设计中有着广泛的应用，特别是在防止过电压方面表现出色，然而伴随这一特性而来的，是雪崩二极管在特定条件下产生的噪声问题，这是如何产生？1、雪崩击穿过程的不连续性雪崩二极管的噪声主要源
所有电子产品都带有一定的静电，静电过大可能会导致电路损坏、性能下降甚至功能失效，所以必须做好静电放电（ESD）防护，本文将列出一系列直接切具体的静电保护策略，旨在帮助工程师有效应对静电威胁。1、关键信号并联雪崩二极管在易受静电干扰的关键信号
在电子元件中，MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）因其具备高输入阻抗、低噪声级良好的开关特性备受工程师的青睐，然而在使用MOS管时可能会遇见其失效现象，那么这些失效现象是如何形成的？1、雪崩失效（电压失效）当MOS管的漏源电压（BV
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