GaN作为第三代半导体的典范正在被广泛使用，就连电梯间也能看到快充品牌直接拿GaN做广告语了。GaN做激光或者LED可以发出蓝光，也是被广泛研究和量产的产品。GaN器件目前被称为HEMT (High Electron Mobility Transistors)，这种高电子迁移率的晶体管用

二极管具有单向导电性，应用广泛，是电子工业常用的电子元器件之一。由于二极管种类繁多，很多种类，如稳压二极管、发光二极管、光敏二极管、变容二极管、激光二极管等，今天将以这些特殊二极管为主角，谈谈它们的特点及符号、主要技术指标。1、稳压二极管符

脊型GaAs基LD激光芯片工艺过程：这个流程算是LD最基础的流程，第一步做Mesa台阶，第二步做SiO2阻挡层，第三步做P电极、第四步做减薄、抛光；第五步做N电极。然后就是切片、测试、封装。但是里面也有几个关键的工艺参数需要控制的。同样Etch GaAs也可以用ICP干法刻蚀的工艺，比湿法工艺效果要

大功率激光器广泛用于各种领域当中，例如激光切割、焊接、钻孔等应用中。由于镜头材料的体吸收或表面膜层带来的吸收效应，将导致在光学系统中由于激光能量吸收所产生的影响也显而易见，大功率激光器系统带来的激光能量加热会降低此类光学系统的性能。为了确保

WPE在LD芯片中指电光转换效率。 WPE=出光功率/工作电流/工作电压。因此WPE越大越好，说明电转成光的效率越高。额外的部分电能，大部分以热能的形式释放。WPE高的话，转换的热也会变少。 An AlGaInP/GaAs red LD suffers from low wall pl

但凡说到激光器，人们必须提及Vcsel，也就是垂直腔面发射激光器：Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser。2017年苹果公司iPhone X采用vcsel作为3D感应技术，用于Proximity sensor和 Face ID模块，彻底把Vcsel炒热了。之后发

晶圆常用的切割手段有很多，根据不同的材质和芯片设计采用不同的方式。常见的有砂轮切割、激光切割、金刚刀划片劈裂、还有隐形切割等等。其中激光切割应用是越来越广，激光切割也分为激光半划、激光全划、激光隐形划切和异形芯片的划切等工艺方法的特点。 1 激光半划1.1 激光开槽 砂轮切割随着芯片特征尺寸的不

可见光激光器的应用是十分广泛的，甚至有人说可见激光是比LED更棒的光源。但是其发展的主要困难是如何选择合适的有源层、限制层材料以及对应的生长工艺。 我们知道He-Ne激光器632.8nm的激光器用途很广泛。氦氖激光器是以中性原子气体氦和氖作为工作物质的气体激光器。以连续激励方式输出连续

激光芯片的可靠性是一项十分关键的指标，无论是小功率的激光笔还是要求较高的激光通信芯片，都需要进行芯片的老化和可靠性的测试。 相比于传统的电子类的芯片，激光的测试比较复杂，牵涉到光、电的测量，也要考虑封装形式的区别。老化试验是作为芯片的一个检测手段，在研发初期，也可以通过芯片老

漏电流，听名字就知道是个比较负能量的一个东西。在半导体领域，二极管在反向截止的时候，并不是完全理想的截止。在承受反压的时候，会有些微小的电流从阴极漏到阳极。这个电流通常很小，而且反压越高，漏电流越大，温度越高，漏电流越大。大的漏电流会带来较大的损耗，特别在高压应用场合。产生的原因:从半导体材料