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射频衰减器不只是把电压压小按直流分压思路串一个电阻，某个频点的电压确实变小，VNA上的S11却可能明显变差。关键判断是：射频衰减器既要得到目标插入损耗，也要让输入和输出端看到规定阻抗。少掉的功率必须被可控吸收或隔离，不能靠未知反射“碰巧变小
栅压继续加高，MOS总损耗会更低吗？把MOSFET栅压从8V抬到10V，RDS(on)可能下降，整机效率却未必继续提高。核心判断是：更高VGS会改善导通，却也让驱动器每秒搬运更多栅极电荷。导通损耗、驱动损耗、开关速度和额定值必须一起核算，不
线缆多穿一圈磁环，抑制会翻倍吗？整改现场把线缆在磁环上多绕一圈，低频段可能明显下降，高频段却不一定继续变好，有时还会冒出新的峰。理想电感量近似随匝数平方增加，只说明低频储能关系；真实铁氧体还同时受到材料损耗、寄生电容、漏磁、偏流和线缆布置影
C0G与X7R看似同类，选错后果差很多原理图上都是一颗电容，封装和标称容量也能相同，C0G与X7R却不能只按“谁便宜、谁有货”互换。C0G追求的是容值和损耗的稳定，X7R换来的是更高的容量密度。一个适合把频率、增益和时间常数守住，一个更擅长
滤波器曲线漂亮，上板衰减却失灵滤波器目录上写着几十dB插入损耗，装进整机后却只压下一小截，甚至在某个频点冒出更高的峰。问题不一定是器件虚标。插入损耗从来不是滤波器单独拥有的数值，它是滤波器与源、负载共同组成系统后的结果。标准治具通常有明确阻
Buck满载效率突然掉，别先怪MOS空载和半载效率都正常，一拉到满载，效率曲线突然往下掉，电感烫得比MOS还快。很多人第一反应是换更低RDS(on)的管子。但在Buck里，满载损耗是“多人合伙”：MOS导通、开关交叠、驱动、死区、输入输出电
VNA校准已经PASS，S11为什么换根线就漂？SOLT校准刚做完，校准件也能“看起来正常”；DUT第一次测S11很好。把测试线挪个位置、重新拧一次接头，甚至只是把线从桌边抬起来，再测，谐振点和回波损耗就变了。此时先别急着怀疑DUT——VN
频谱仪测出来的功率比芯片标称低3dB？先别怀疑PA，先把这几项测量损耗算清楚射频调试里经常会出现这种情况。芯片手册写着输出20dBm，板子也已经正常工作。可频谱仪一测，只有16dBm、17dBm。于是第一反应就是：PA没推起来、匹配网络有问
Mixer频率都对，转换损耗为什么还是比手册差几dB？混频器能产生正确IF，只说明频率转换发生了，不代表工作点已经最佳。LO功率不足、端口失配、线缆损耗、IF负载和测试参考面都会让Conversion Loss明显变差。排查时要先确认“真正
MOSFET参数都不错，为什么反向恢复还会把尖峰拉高？同步Buck和半桥里，MOSFET体二极管只导通很短时间，也可能在下一次换流时带来很大的反向恢复电流。Qrr不只增加损耗，还会和功率环路寄生电感一起制造SW尖峰、振铃和EMI。排查时要把
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