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仿真曲线漂亮，上板一测全变样。问题不在设计思路，在于你把真实世界想简单了。1、仿真为什么会骗你？理想模型里，电容就是电容，电感就是电感。但真实的电容有ESR和ESL，真实的电感有寄生电容。这些寄生参数在低频时可以忽略，一旦频率上去，它们才是
仿真波形完美，上电就翻车。不是仿真骗了你，是你信错了仿真。1、仿真和现实的差距仿真用的是理想模型，现实全是寄生参数。你以为差的是精度，其实差的是整个世界。2、常见翻车点第一，电容不是电容。仿真里的电容是理想的。实际电容有ESR、ESL，高频
前阵子有个学员跟我诉苦：他按教科书设计的 LLC 电源，满载效率 96% 轻松达成，一接轻载——5% 负载率——波形直接疯了：频率飘到 200 kHz，纹波从 100 mV 蹿到 500 mV，耳朵边还嗡嗡响。调了两周换了 3 批磁性元件，
仿真和实测差几个dB，不是运气差，是模型漏了东西。多数工程师只盯着波形对比，却没追问偏差的根因。1、封装寄生，最大的隐形杀手IBIS模型只描述芯片引脚行为，不包含封装。焊球电感、TSV电容、重布线层的寄生参数，在GHz频段轻松贡献1到3个d
电容从12pF换到22pF，再换到30pF，示波器上依旧一片死寂。很多人以为是电容没选对，其实真正的凶手往往藏在电容之外。1、电容没错，是你漏算了寄生参数负载电容的公式是 CL = (C1×C2)/(C1+C2) + Cs，其中Cs是PCB
GaN开关更快，EMI为何反而更难压？GaN把开关损耗压低，也把封装、走线和共模回路里的寄生参数推到台前 GaN器件边沿更快，效率往往更有优势，可样机换管后却可能在几十兆赫以上多出振铃和噪声。器件没有“天生更差的EMI”，真正变化的是dv/
跟随着IC集成电路的发展，芯片的频率越来越高，噪声的容忍度越来越小，这就对IC设计中的封装设计提出了更好的要求，普遍的引起了越来越多工程师的重视。为了能够对IC芯片设计中存在的寄生参数准确的分析和数据量化及参数优化，我们特意开设了此次的直播课程，这次的课程目的就是和大家探讨在IC芯片封装设计中存在的寄生参数情况，比如电阻，电容，电感，电导的传输线等效模型等，及如何提取寄生模型优化回流路径中的电感，电阻，和减少自感和互感的参数等。
