扫码关注
- 全部
- 默认排序
芯片中的氧化现象主要是指在制造和使用过程中，材料（特别是半导体材料和金属材料）与环境中的氧气发生反应，形成氧化物。这一现象在芯片的性能、可靠性和寿命方面具有重要影响。以下是芯片氧化现象产生的原因及其影响：一、造成氧化的原因高温焊接和制程：在
随着人工智能（AI）大模型的出，每年总会诞生几个优秀且瞩目的产品，今年毫无疑问是DeepSeek，不过使用DeepSeek时总是出现“服务器繁忙，请稍后再试”现象。据国内媒体报道，有用户反馈，DeepSeek算力紧张情况有所缓解，高峰期使用
我们在开发单片机程序的时候，经常会碰到编译没有错误，程序代码反复的检查，但就是找不到问题所在，不知道问题到底出现在哪里了？这个时候的心情就会特别烦躁，单片机程序代码就是字母加数字，有点抽象，所以很多的程序代码我们都在在芯片原厂提供技术资料上开发的，如果单片机程序一旦出现一些比较抽象的问题，又找不出问
整流器是将交流电（AC）转换为直流电（DC）的电力电子设备，广泛应用于各种电源和电力电子系统中。整流器的组成及其作用如下：整流器的组成整流元件：二极管：最常用的整流元件，能够允许电流在一个方向流动，而阻止相反方向的电流。常见的二极管整流器有
RTC（Real-Time Clock，实时时钟）电路是常见的电路，其中的晶振标称频率一般为32.768kHz。下图是“电路啊”设计的一款电路模块的正反面，其中用到RTC芯片DS1307，使用的晶振是32.768KHz。下图是“电路啊”设计的一款电路板，采用君正的主控芯片，该芯片内含RTC，需要外接
硬件设计十拿九不稳
搞硬件设计、电子产品这类重资产的工作，后期生产制造先放一边不说，单单是整个硬件研发流程就有诸多不确定因素，任何一环出问题都会导致产品失败（延期不能正常交付），我相信任何有经验的工程师都不敢保证一板成功，十拿九稳。相反，现实工作中硬件工程师更是如履薄冰，“十拿九不稳”可能更是常态。硬件设计十拿九不稳☞
RCD电阻电容二极管复位电路工作原理是在变压器初级励磁电感Lm两端并联复位电容Cr，开关管S关断后，Lm与Cr谐振，将Lm在激磁过程中存储的能量全部转移到Cr，Cr的电压为VCr。如果Cr足够大，可以看作恒压源（电压源）VCr，相当于VCr对Lm反向去磁，Lm存储能量转移到电压源VCr。为了保持VC
正激变换器的开关管关断后，辅助绕组（第3绕组）复位相当于在反激状态，因此，其绕组的极性与初级绕组相反，开关管Q导通时，辅助复位绕组会影响系统正常工作。因此，在辅助复位绕组的输出串联一个二极管，二极管电流的方向与其在反激工作时的电流方向一致，这样，开关管导通时，复位的辅助绕组不工作，就不再影响系统正常
目前，在工业电源和汽车电子系统等应用中，设计使用SiC的反激辅助电源，给系统的芯片供电。在调试过程中，当次级输出负载短路时，SiC非常容易发生损坏，栅极G和源极S之间短路，调整SiC的栅极驱动外围参数，例如，增加栅极驱动的关断电阻值、栅极与源极并联电容，都没有明显的改善。反激辅助电源的PWM控制器V
我们平时接触到的感性负载很多，比如继电器、电磁阀、电机等，都是感性负载。电感线圈的电流不能突变，所以在感性负载断开时，会产生一个较高的反向电动势。在直流应用中，一般情况下，可以在负载两端并联一个二极管，形成续流回路，消除或降低反向电动势。 那么这个反向电动势的影响有多大，如果不做处理会怎
