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简介在生成式人工智能、高性能计算 （HPC） 和数据中心的推动下，人们对计算能力的需求不断增长，这也刺激了对先进 CMOS 工艺和封装技术的需求。为满足这一日益增长的需求，半导体行业正在推动到 2030 年实现万亿晶体管三维集成电路（3DIC）系统级封装（SiP）解决方案。本文将探讨台积电推动采用c
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众所周知，现阶段半导体工艺已经逼近物理极限，目前芯片堆叠与Chiplet技术已成为突破二维平面限制的两大技术路线，前者通过垂直堆叠实现空间压缩，后者凭借着模块化设计重构技术集成，这两类如何选？1、技术本质与实现差异芯片堆叠采用三维集成工艺，
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引言随着高性能计算和人工智能/机器学习应用的发展，异构三维(H3D)堆叠系统应运而生。这类系统通过精密间距的垂直芯片堆叠，实现了更高的功能密度、更低的通信延迟和更有效的功率分配。然而，在H3D堆叠系统中，高效电源传输网络(PDN)的实现和散热管理面临着重大挑战[1]。图1：异构三维集成系统各种电源传
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引言半导体行业通过创新集成技术持续发展，特别是在三维集成电路（3DIC）领域。本文介绍基于SOI临时键合技术的突破性方法，该方法实现了亚微米级别的层间厚度和精确对准[1]。1三维集成技术的发展三维集成在半导体制造领域代表着重要的技术进步，为克服传统工艺缩放限制提供了解决方案。目前存在单片三维集成和晶
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Chiplet3D封装PCB技术突破_垂直互连密度提升100倍支撑万亿次计算Chiplet3D封装PCB技术实现重大突破，垂直互连密度提升100倍，较传统PCB提升100倍，支撑万亿次计算，推动半导体封装向三维集成方向发展。2026年全球C
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