找到 “mos管” 相关内容 条
  • 全部
  • 默认排序

如果你经常接触电路设计,可能会发现一个现象:Nmos管的使用频率远高于PMOS。接下来,咱们来看看几种常用NMOS电路的应用场景。用NMOS搭建电平转换电路用NMOS点亮一个灯用NMOS驱动继电器用NMOS控制HDMI差分信号的通断不管是电源开关、电机驱动,还是各类转换器,NMOS总是首选。难道PM

都是MOS管,为什么NMOS比PMOS受欢迎?

每次通电都像开盲盒,一不小心芯片就冒烟。别急着换芯片,先学会安全排查。第一步:断电查短路万用表打到二极管档,测输入端对地阻值。正常应该有几百欧姆以上,如果接近零欧姆,说明某处已经击穿。重点查输入电容、mos管D-S极、整流桥。找到短路点,换

开关电源一上电就烧芯片,不敢通电?

电阻加大了,波形还是乱跳。问题不在电阻,而在你看不见的地方。1、振荡的本质驱动走线的寄生电感L,与mos管栅极寄生电容C,构成LC谐振回路。公式很直白:当驱动电阻 R < 2√(L/C) 时,电路处于欠阻尼状态,振荡必然发生。你调电阻没用,

MOS管驱动波形有震荡,栅极电阻调了也没用?

上个月有个学员找我诉苦,说他按教科书公式仔仔细细算好了RCD吸收回路的参数,样机一上电mos管直接炸了。炸了之后他检查了好几遍:电阻功率够、电容耐压够、二极管也是快恢复的——参数全对,为什么还炸?说实话,这块把我坑过,也坑过我带的很多新人。

反激RCD吸收回路设计:为什么你的MOS管总在炸?

很多工程师在PI仿真时面对一个灵魂拷问——电容加到多少个才算够?答案不是拍脑袋,而是让仿真告诉你。1、纹波从哪来?芯片输出级的mos管在切换瞬间,上下管会短暂同时导通,产生30到100mA的尖峰电流。这股电流撞上电源线的寄生电感,电压就被拉

电源纹波仿真,去耦电容到底放多少才够?

体二极管已经反偏,MOS开通电流却突然抬高半桥两只MOS没有同时收到高电平,死区也留出来了,开通瞬间却仍冒出一股很高的电流。它可能不是驱动逻辑直通,而是另一只MOS体二极管留下的反向恢复电荷。死区期间负载电流先流过体二极管;换向时,对侧MO

体二极管已经反偏,MOS开通电流却突然抬高

MOS耐压电流都有余量,脉冲仍可能冲出SOA一只MOS标称80V、80A,实际脉冲只有30V、30A,看起来余量很大,却仍可能在几次启动后短路。原因是80V和80A不是可同时使用的坐标,真正的边界藏在安全工作区里。SOA要同时回答电压、电流

MOS耐压电流都有余量,脉冲仍可能冲出SOA

想请教一下,电路中是一些分立元件,有三极管,mos管,电容, 电阻,稳压二极管。是应该按照信号的流向摆放元件?还是把同类型的元件先摆放在一起(比如有3个mos管,先把他们摆放在一起?),然后再拉线么?。因为发现如果按照信号的流向摆放元件,然后感觉元件的摆放就杂乱无章。 但是如果把同类型的元件摆放在一

buck 电路 流过mos管的电流怎么计算?是根据后面负载电压变化吗?

例如3A的电流,100%占空比,选多少A的mos管,驱动电压5V