扫码关注
- 全部
- 默认排序
MOSFET作为电力电子领域的核心器件，其寄生电容对开关性能有决定性影响。本文聚焦输入电容、输出电容和反向传输电容的计算方法，为工程师提供实用参考。1、基础电容定义MOSFET的三个核心电容由栅极(G)、漏极(D)、源极(S)两两组合定义：
LV8907 是一款高性能、无传感器三相无刷直流（BLDC）电机控制器，内置预驱动器，专为汽车应用设计。其集成的两级电荷泵可为超低导通电阻 RDS(ON) 的 N 沟道 MOSFET 提供宽范围的栅极驱动电流。该器件提供丰富的系统保护与诊断
一、换芯片也救不了你的电源上周有个学员找我诉苦，说他做了个项目，开关电源效率死活卡在85%上不去。他试了三四款芯片，换了TI的、换了MPS的、甚至还试了国产方案，结果呢？效率纹丝不动。他都快怀疑人生了，觉得是不是自己运气不好。其实我跟他说，
1、耦合电感HSC的波形每个开关周期，工作占空比D=0.5，两组开关管Q1、Q3、Q5和Q2、Q4、Q6交替开关工作，相位相差180度，输入电源对其中一个飞跨电容充电向输出负载传输能量，另一个飞跨电容放电实现电荷平衡，开关管工作在零电压ZVS软开关状态，耦合电感HSC变换器工作波形，如图1所示。图1
同步整流技术通过低导通电阻的MOSFET替代传统二极管，显著提升了电源效率。然而，在轻载条件下，其效率却常出现明显下降，成为制约技术进一步应用的关键问题。1、反向电流是元凶轻载时，电感电流易降至零并反向流动，导致能量损耗。此时，若下侧MO
特罗半导体作为一家半导体制造企业，致力于提供高性能和创新型的半导体产品，广泛服务于通信、消费电子、汽车电子及工业控制等领域。功率半导体器件功率半导体是特罗半导体的重要产品之一，主要包括功率MOSFET、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和功率
SW节点振铃是开关电源设计中最常见的"隐形杀手"。它不仅引发EMI超标，更可能击穿MOSFET，导致炸机。搞定振铃，RC吸收电路是第一道防线。1、振铃从何而来？本质是寄生电感Lp与寄生电容Cp构成的LC谐振回路。开关管高速切换时，di/dt
同步整流重载效率碾压二极管，但一到轻载就"翻车"。反向环流损耗让效率曲线陡峭下坠，这道选择题困扰着每个电源工程师。1、问题根源：MOS管太"积极"了二极管天然单向导通，电流到零就停。但同步整流的MOSFET是双向通道，轻载时电感电流反向，M
电机驱动是EMC重灾区。一上电，电源线上尖峰密布，传导辐射双双超标。问题出在哪？1、尖峰从哪来？换向火花是元凶。 有刷电机电刷与换向器接触瞬间，电弧放电产生数百MHz的高频脉冲，直接窜入电源线。PWM开关是帮凶。 MOSFET高速切换，di
有个朋友用GaN做车载DC-DC，效率上去了，结果EMI炸穿。他第一反应是GaN器件有问题，想换供应商。我让他把板子发过来，一眼就找到问题所在——PCB layout。这不是个案。我见过太多工程师把GaN当成"升级版MOSFET"来用，结果
