扫码关注
- 全部
- 默认排序
也许有人发现了，单片机的电压标准不太相同，要么是3.3V电压，有的却是5V，为什么不是同一个标准？这是历史遗留问题，还是技术演进的必然？今天将针对这个问题进行探讨。1、TTL与CMOS的“冷战”余波5V的崛起：早期数字电路以TTL（晶体管-
碳化硅（SiC）MOSFET是一种基于碳化硅材料的功率半导体器件，它结合了MOSFET的优点和SiC材料的特性，提供了比传统硅基MOSFET更优越的性能。以下是对其基本结构的分析：一、主要结构部分1. 碳化硅衬底SiC MOSFET的衬底是
在电动汽车电机控制器、光伏逆变器等高频功率变换场景中，栅极驱动器作为连接控制芯片与功率器件（如IGBT、MOSFET）的核心接口，承担着电平转换、驱动强化、保护隔离等关键任务。1. 基础工作原理电平转换：将MCU输出的3.3V/5V逻辑信号
大家好，我是王工。今天为大家带来的是由TI编撰的《MOSFET与IGBT栅极驱动器电路设计原理》专业技术文档。这份资料对于咱们做开关电源研发、电机驱动、新能源逆变系统等领域的工程师具有重要的参考价值。作为开关电源系统的核心功率器件，MOSFET和IGBT的驱动电路设计直接关系到系统整体性能表现。在实
大家好，我是王工。最近在几个技术群里看到一些基础但出现频率很高的问题，今天整理出来和大家一起探讨，希望能帮助到刚入行的工程师朋友们。01MOS管选型主要参数有哪些?选MOS管时主要看以下几个关键参数：Vds(漏源电压)、Id(漏极电流)、Rds(on)(导通电阻)、Qg(栅极电荷)、Vgs(栅源电压
ADuM362N是一款基于Analog Devices，股份有限公司iCoupler技术的6通道数字隔离器。这些隔离元件结合了高速互补金属氧化物半导体（CMOS）和背对背单片空芯变压器技术，提供了出色的性能特性，并在5 Mbps下满足CIS
今天看了一下[1]的ch8 CMOS Processing Technology，了解到了一点新东西。下图中，LD是side diffusion的长度。离子注入会损害硅晶格，因此，随后晶圆会被加热到约1000℃，持续15到30分钟，从而修复晶格，这一过程，称为“annealing（翻译过来为退火）”
从能带图来理解MOS电容从能带图来理解MOS电容(二)(4) 当三种材料接触后，会怎么样？如果三种材料独立不接触的时候，各自的能带图，如下图所示。为了让三种材料接触后，VG=0时，三者的费米能级都在同一水平线上，如下图所示，需要做2个假定[1]，一个是在oxide和semiconductor里都没有
大家好，我是王工。前段时间有兄弟问，为什么MOS管内会有体二极管，它是怎么来的？又有什么作用？是不是所有的MOS管都有体二极管？相信大多数人都会有这个疑问，网上也有很多资料。王工结合工作中常用的一些MOS管，跟大家一起来看一看。日常工作中用的最多的有三种封装SOT-23，SOP-8，TO-220(T
MOS管数据手册上的相关参数有很多，以MOS管VBZM7N60为例，下面一起来看一看，MOS管的数据手册一般会包含哪些参数吧。极限参数也叫绝对最大额定参数，MOS管在使用过程当中，任何情况下都不能超过下图的这些极限参数，否则MOS管有可能损坏。VDS表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。VGS表示
