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今天看了一下[1]的ch8 CMOS Processing Technology，了解到了一点新东西。下图中，LD是side diffusion的长度。离子注入会损害硅晶格，因此，随后晶圆会被加热到约1000℃，持续15到30分钟，从而修复晶格，这一过程，称为“annealing（翻译过来为退火）”
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今天看了一下[1]的ch8 CMOS Processing Technology，了解到了一点新东西。下图中，LD是side diffusion的长度。离子注入会损害硅晶格，因此，随后晶圆会被加热到约1000℃，持续15到30分钟，从而修复晶格，这一过程，称为“annealing（翻译过来为退火）”
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