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大电流下,如何让MOS管/IGBT乖乖听话?驱动电路设计指南请收下

2025-06-13 16:50
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大家好,我是王工。今天为大家带来的是由TI编撰的《MOSFET与IGBT栅极驱动器电路设计原理》专业技术文档。这份资料对于咱们做开关电源研发、电机驱动、新能源逆变系统等领域的工程师具有重要的参考价值。6705226d8f737d4043d56804565472.jpg

作为开关电源系统的核心功率器件,MOSFET和IGBT的驱动电路设计直接关系到系统整体性能表现。在实际工程应用中,栅极驱动电路的优化是解决炸管、电源效率、热管理和EMI等关键问题的核心所在。本文档系统性地分析了当前主流的驱动电路解决方案。

文档内容采用循序渐进的组织方式:首先从MOSFET基础技术原理和开关运行机制切入,逐步深入到各类实际应用场景。其中特别值得关注的是对以下内容的详细阐述:

  1. 接地参考型与高侧栅极驱动电路的完整设计流程

  2. 交流耦合与变压器隔离的两种驱动方案

  3. 同步整流器应用中MOSFET栅极驱动的特殊设计考量


以下是设计指导

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