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威尔金森功分器是一款比较常用的射频器件，是由射频工程师E.J. Wilkinson 在1960年的文章中提出的，这篇文章在IEEE网站上还能下载到：An N-Way Hybrid Power DivIDEr。方便的同学可以下载学习一下。威尔金森功分器常见的使用场景是将一路信号按照一定的比例分成两路
Wi-Fi（Wireless FIDElity）作为现代无线通信的重要技术之一，广泛应用于家庭、办公室及公共场所。为了确保多个设备在共享无线信道时能够高效、有序地传输数据，Wi-Fi采用了一套复杂的机制，其中载波监听与冲突避让机制是关键所在
本文作者：DavIDE Vye，Cadence高级产品市场经理，首发于www.highfrequencyelectronics.com。预计阅读时长：13分钟。自从便携式电话在 20 世纪 80 年代问世以来，新的无线电技术不断更迭，移动通信行业呈现爆炸式增长。伴随每一代无线电技术的问世，都涌现出了
我最近在测试一个M0 MCU的运行功耗，测试代码采用如下最简单的方式，即main函数里只跑一个while(1)空循环，测试出来的电流是1.11mA，使用的IDE为KEIL MDK，优化等级为0当我在while(1)的前面插入3条NOP指令，测出来的电流却变成了0.89mA。这是怎么回事？是测量误差
之前有个老铁问我，他用Mac电脑，可以用来开发单片机程序吗？我的回答是：非必要最好不要用Mac。原因很简单，你会走很多不必要的弯路。相对于Windows单片机开发，Mac电脑可能存在以下问题：软件支持许多嵌入式开发工具和IDE的官方版本主要支持Windows系统，特别是有一些早期的芯片。早期不意味着
全控型器件——电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal OxIDE Semiconductor FET）,简称电力MOSFET（Power MOSFET）。电力MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流的，它的特点有：驱动电路简单，需要的驱动功率小；开关速度快，工
MOS管，是MOSFET的缩写，全拼是Metal-OxIDE-Semiconductor Field-Effect Transistor，翻译过来是金属-氧化物半导体场效应晶体管，根据导电沟道的不同，MOS可以细分为NMOS和PMOS两种。下图是NMOS的示意图，从图中红色框内可以看到，MOS在D、
最近用ADS的designguIDE比较多。designguIDE里面调出来的模板，很多时候，都是有很多公式。看这些公式确实能帮助理解理论，同时也能对这些模板理解更深刻，便于使用。不过，看到这些密密麻麻的公式，头也是大的。这个时候，有两个小操作，可以稍稍帮一下忙。一个呢，就是find功能。看公式的时
今天看了一下[1]的ch8 CMOS Processing Technology，了解到了一点新东西。下图中，LD是sIDE diffusion的长度。离子注入会损害硅晶格，因此，随后晶圆会被加热到约1000℃，持续15到30分钟，从而修复晶格，这一过程，称为“annealing（翻译过来为退火）”
从能带图来理解MOS电容从能带图来理解MOS电容(二)(4) 当三种材料接触后，会怎么样？如果三种材料独立不接触的时候，各自的能带图，如下图所示。为了让三种材料接触后，VG=0时，三者的费米能级都在同一水平线上，如下图所示，需要做2个假定[1]，一个是在oxIDE和semiconductor里都没有
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