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2026年3月，全球功率半导体产业迎来历史性转折点。以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，在8英寸量产、大尺寸衬底技术及垂直应用领域实现全面突破，正在重塑从新能源汽车、光伏储能到AI算力的全产业格局。据行业预测，全球
TSX221K是一款X波段全集成单刀双掷（SPDT）开关，专为基于GaN技术的高功率开关应用而设计。TSX221K覆盖500MHz至12.0GHz带宽，在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TSX221K是一款10W CW开关，峰值
TSL8029N 是一款单通道、集成射频前端多芯片模块，专为多种应用设计。该器件工作频率范围为 2 GHz 至 5 GHz。TSL8029N 配置为级联双级 GaAs 低噪声放大器（LNA）和基于 GaN 的单刀双掷（SPDT）开关。在高增
做过射频功放设计的工程师应该都有这种感受：效率高的功放，线性度往往不理想；线性度好的功放，效率又上不去。这俩就像鱼和熊掌，似乎总也兼得不了。拿5G基站来说吧，现在主流的氮化镓（GaN）功放效率能到50%-60%，比传统的LDMOS高出一大截
有个朋友用GaN做车载DC-DC，效率上去了，结果EMI炸穿。他第一反应是GaN器件有问题，想换供应商。我让他把板子发过来，一眼就找到问题所在——PCB layout。这不是个案。我见过太多工程师把GaN当成"升级版MOSFET"来用，结果
GaN开关更快，EMI为何反而更难压？GaN把开关损耗压低，也把封装、走线和共模回路里的寄生参数推到台前 GaN器件边沿更快，效率往往更有优势，可样机换管后却可能在几十兆赫以上多出振铃和噪声。器件没有“天生更差的EMI”，真正变化的是dv/
凡亿电路OSP工艺介绍：环保表面处理的优势和应用凡亿电路OSP工艺PCB板展示在PCB制板的表面处理工艺中，OSP工艺凭借环保、成本低、平整度好等优势，成为消费电子、通信设备等领域广泛采用的方案。OSP全称为OrGaNic Solderab
