作为一名电源研发工程师，自然经常与各种芯片打交道，可能有的工程师对芯片的内部并不是很了解，不少工程师在应用新的芯片时直接翻到Datasheet的应用页面，按照推荐设计搭建外围。如此一来即使应用没有问题，却也忽略了更多的技术细节，对于自身的技术成长并没有积累到更好的经验。以DC/DC降压电源芯片LM2

要分析Datasheet资料，分析资料中的以下内容

求教大神，关于FPGA的原理图和封装怎么画啊，Datasheet里面卡不懂

器件规格都在哪里查到的？请详细说明一下

这一节讲讲实际设计电路时，怎么选择运放，需要专注哪些参数。要注意的是，器件即使再简单，他们的参数也是很复杂的，找到芯片的Datasheet，里面可能数十个参数，开始时我们只要关注最重要的几个参数，就能应对大多数的场合，至于更深层次的应用，需要长期的积累。上一节讲了运放的几个特别重要的特性：虚短、虚断

极限参数也叫绝对最大额定参数，MOS管在使用过程当中，任何情况下都不能超过下图的这些极限参数，否则MOS管有可能损坏。VDS 表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。VGS 表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。ID 表示漏极可承受的持续电流值，如果流过的电流超过该值，会引起击穿的风险。IDM 表

作为一名电源研发工程师，自然经常与各种芯片打交道，可能有的工程师对芯片的内部并不是很了解，不少同学在应用新的芯片时直接翻到Datasheet的应用页面，按照推荐设计搭建外围完事。如此一来即使应用没有问题，却也忽略了更多的技术细节，对于自身的技术成长并没有积累到更好的经验。今天以一颗DC/DC降压电源

摘要作为一名电源研发工程师，自然经常与各种芯片打交道，可能有的工程师对芯片的内部并不是很了解，不少同学在应用新的芯片时直接翻到Datasheet的应用页面，按照推荐设计搭建外围。如此一来即使应用没有问题，却也忽略了更多的技术细节，对于自身的技术成长并没有积累到更好的经验。今天以一颗DC/DC降压电源