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随着芯片制造体系的完善,芯片内嵌的晶体管数量越来越多,芯片的先进制程已发展到3nm,现阶段,以台积电、三星为首的晶圆代工厂商都在积极布局芯片的更先进制程节点,越来越多的人开始好奇:1nm制程节点何时生产,是谁先领跑。业界人士预测,按照各大晶

​1nm芯片先进制程最快2027年投产,谁能领跑?

芯片一直以来是中西方科技竞争的关注点!在华为芯片遭遇断供后,中芯国际承担起了国产芯片崛起的重任。当“缺芯潮”席卷全球,各大晶圆厂竞争日益加剧,台积电、三星、英特尔、IBM等纷纷公布了其3nm、2nm计划,不少网友呼吁我们应该加大对7nm、5

超预期!中芯国际突然改口,台积电担心的情况出现

全球唯有台积电和三星能够制作5nm以下工艺的晶圆代工,然而随着芯片工艺制程的提升,研发难度越来越高,发布时间也越来越少,这也造成很多人说摩尔定律将死。纵观台积电的路线发展图,台积电将在2022年年底量产3nm工艺,2025年量产2nm,在此

​台积电正在攻克1nm工艺,摩尔定律将不死

众所周知,5nm以下的芯片先进制程,全球唯有台积电和三星能够进行,所以成为了多家大型品牌公司的选择。如高通、苹果、Intel等,这也造成台积电和三星旗鼓相当、平分秋色。但近年来随着三星良品率的降低,所生产的芯片散热不足,不如台积电更稳定,导

​台积电将在3月量产3nm,七大客户已预定

众所周知,全球能制作芯片先进工艺的半导体代工厂商只有台积电、三星,目前,在先进工艺上,台积电和三星量产或即将量产的7nm、5nm及3nm。而作为半导体强国的美国却在时间长河中逐渐被落后在台积电三星。为了实现在赛道上超过台积电和三星,美国计划

​美国逆向复活90nm工艺,性能高于7nm芯片的50倍

近日三星表示有望在本季度(即未来几周)开始使用3GAE(3nm级栅极全方位早期)制造工艺量产芯片,这意味着三星将首次量产3nm制造芯片,也是全球第一个使用GAAFET(栅极全包围场效应晶体管)的半导体厂商。零基础学习FPGA/ASIC来看看

三星3nm芯片有望在今年第二季度量产

目前芯片制造的上游企业主要以台积电、三星、英特尔为主,以台积电为例,研发芯片的先进制程是4nm,今年下半年将投产3nm先进芯片。而我国大陆发展芯片制造起步较晚,在芯片制造、晶圆代工等方面稍弱,研发最先进的芯片工艺是14nm制程,在2020年

继中芯国际后,华虹半导体已成中国第二家14nm芯片厂商