三星3nm芯片有望在今年第二季度量产

近日三星表示有望在本季度（即未来几周）开始使用3GAE（3nm级栅极全方位早期）制造工艺量产芯片，这意味着三星将首次量产3nm制造芯片，也是全球第一个使用GAAFET（栅极全包围场效应晶体管）的半导体厂商。

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据了解，三星所使用的3GAE工艺技术是基于GAA晶体管的工艺，官方称之为多桥通道场效应晶体管（MBCFETs），该项技术是三星三年前推出，声称该工艺将使性能提高30%，功耗降低50%，晶体管密度提高80%。

从理论上来讲，与目前使用的FinFET（鳍式场效应晶体管）相比，GAAFET有诸多优势，在GAA晶体管中，通道是水平的，被栅极所包围。GAA通道是利用外延和选择性材料去除形成的，这使得设计者可以通过调整晶体管通道的宽度来精确地调整它们。通过更宽的通道获得高性能，通过更窄的通道获得低功率。这样的精度大大降低了晶体管的漏电电流以及晶体管的性能变化，这意味着更快的投产时间、上市时间和提高产量。

简单来说就是，GAAFET技术可以缩短芯片生产时间，同时提高芯片产量。据数据报告中分析，GAAFET有望减少20%-30%的电池面积。

三星初次使用3AGE，考虑到产量和性能达标率，主要提供三星LSI（三星的芯片开发部门）和几个高级客户使用。

作为三星的老对手，台积电所使用的3nm制造工艺仍是以FinFET为主，确保芯片产量达标，良品率不受影响。但根据台积电的发展路线图，台积电的2nm工艺将转向GAAFET。

有人分析，三星加快3nm量产计划，或是失去高通大订单想借此拉回客户心思。三星4nm良品率未达标，且三星所生产的高通处理器骁龙8 Gen 1性能不如骁龙888，口碑不好，导致高通将下一代处理器芯片和部分的骁龙8 Gen 1订单转向台积电。

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