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​美国逆向复活90nm工艺,性能高于7nm芯片的50倍

2022-07-14 10:13
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众所周知,全球能制作芯片先进工艺的半导体代工厂商只有台积电、三星,目前,在先进工艺上,台积电和三星量产或即将量产的7nm、5nm及3nm。而作为半导体强国的美国却在时间长河中逐渐被落后在台积电三星。

为了实现在赛道上超过台积电和三星,美国计划逆向行动,不再先进工艺上超越它们,而是打算复活90nm,争取制造出来的芯片是7nm芯片的50倍。

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近日,美国晶元厂商SkyWater宣布,已获得美国国防部下属DARPA的进一步资助,将获得2700万美元来推动开发90nm战略抗辐射(RH90)FDSOI技术平台,总投资费用高达1.7亿美元。

据了解,相比台积电、三星、Intel等知名半导体厂商,SkyWater公司规模小,资历不深,还是2017年成立,是个综合实力不强的初创公司,旗下的晶圆厂是来自于赛普拉斯半导体公司的芯片制造部门,工艺并不先进,主要以130nm及90nm为主,部分先进芯片最多是65nm级别。

然而,令人困惑的是他们却得到了美国DARPA的青睐,没成立多久就可以参与后者的ERI电子复兴计划,该计划在五年内投资15亿美元,旨在推动美国半导体行业的发展。

在ERI计划中,SkyWater负责的是采用90nm工艺制造3D SoC芯片,通过集成电阻RAM,碳纳米管等材料实现更强的性能,性能可达7nm芯片的50倍。

当然,目前来说,这些技术限制仍然没有实现完全突破,但换句话说,该技术的成功,可能是改变半导体行业规则的新技术。

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