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前面学了六种场效应管,了解了结构和伏安特性,模拟电路利用它们的恒流区构成共源、共漏和共栅的放大电路,数字电路利用它们的可变电阻区和截止区制成各种开关电路。场效应管放大电路的分析和晶体三极管放大电路分析是相同的,都是遵循“先静态,后动态”的原则。求解场效应管放大电路时可以利用已有的求解晶体三极管放大电

FET放大电路的分析

晶体管是一种半导体器件,常用于放大、开关和稳压等电路中。晶体管可以控制电流,而且具有高输入电阻、低输出电阻和低噪声等优点,因此在现代电子技术中被广泛应用。为帮助大家深入了解,本文将对晶体管的相关知识予以汇总。如果您对本文即将要涉及的内容感兴

晶体管的结构特点及伏安特性分析

晶体二极管和晶体三极管是电子电路中最重要的电子器件,主要功能是电流放大和开关作用,应用广泛,可以说凡是有电子电路的存在,十有八九必有二极管参与,所以了解二极管/三极管的分类、命名机制、伏安特性等知识很有用。1、二极管的分类:二极管按材料不同

​如何看懂二极管/三极管的命名机制?

MOS晶体管在电子电路中是非常关键的电子部件,也是小白初学集成电路设计的重点内容之一,今天我们来谈谈MOS晶体管的电容特性。常见的MOS晶体管主要分为N型MOS管和P型MOS管,它们的基本结构和电路符号如图所示:MOS晶体管的伏安特性:电容

不懂MOS晶体管的电容特性?来看这(上)

稳压管也是一种晶体二极管,它是利用PN结的击穿区具有稳定电压的特性来工作的。稳压管在稳压设备和一些电子电路中获得广泛的应用。我们把这种类型的二极管称为稳压管,以区别用在整流、检波和其他单向导电场合的二极管。如图画出了稳压管的伏安特性及其符号。 稳压管的主要参数如下: (1)稳定电压Uz Uz就是PN结的击穿电压,它随工作电流和温度的不同而略有变化。对于同一型号的稳压管来说,稳压值有一定的离散性。 (2)稳定电流Iz 稳压管工作时的参考电流值。它通常有一定的范围,即Izmin——Izma

稳压二极管伏安特性