由于文章篇幅所限，不得不将MOS晶体管的电容特性分为上下两部分，上部分可点击我空间进行查看。4、若Vgs再增大，排斥掉更多的空穴，吸引了更多的电子，使得Si表面电位下降，能级下降，达到低于P型衬底的费米能级，这时Si表面的电子浓度超过了空穴

MOS晶体管在电子电路中是非常关键的电子部件，也是小白初学集成电路设计的重点内容之一，今天我们来谈谈MOS晶体管的电容特性。常见的MOS晶体管主要分为N型MOS管和P型MOS管，它们的基本结构和电路符号如图所示：MOS晶体管的伏安特性：电容