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跟随着IC集成电路的发展，芯片的频率越来越高，噪声的容忍度越来越小，这就对IC设计中的封装设计提出了更好的要求，普遍的引起了越来越多工程师的重视。为了能够对IC芯片设计中存在的寄生参数准确的分析和数据量化及参数优化，我们特意开设了此次的直播课程，这次的课程目的就是和大家探讨在IC芯片封装设计中存在的寄生参数情况，比如电阻，电容，电感，电导的传输线等效模型等，及如何提取寄生模型优化回流路径中的电感，电阻，和减少自感和互感的参数等。
我想问一下，能不能设置出选中原理图的原件，pcb图内对应的封装高亮的效果啊？比方说我选中原理图中的32芯片，对应的pcb中芯片封装也是被选中的这个可以设置吗？
近年来，各大半导体厂商及跨国公司纷纷投注加码新兴技术，在此氛围下，芯片性能大幅提高，芯片迭代更新速度加快，那么哪些技术是未来芯片发展关键方向？也许苹果可以参考。据外媒报道，苹果近期正在积极与多家供应商探讨将玻璃基板技术应用在芯片开发的可行性
在微电子封装领域，倒装芯片封装工艺（Flip-Chip Chip Scale Packaging，简称FCCSP）是很多大厂会选择采用的先进芯片封装技术，然而很多电子工程师对其了解不深，下面将谈谈FCCSP，希望对小伙伴们有所帮助。1、什么
随着芯片产业的迅速发展，芯片间数据交换也在成倍增长，传统的芯片封装方式几不能满足巨大的数据处理需求。同时，随着芯片制造逐渐进入摩尔定律的无理极限，芯片制程工艺提升放缓，以3D堆叠封装为代表的先进封装技术即将成为未来的重要发展方向。以苹果为例
SiP失效模式和失效机理
SiP组件的失效模式主要表现为硅通孔（TSV）失效、裸芯片叠层封装失效、堆叠封装（PoP）结构失效、芯片倒装焊失效等，这些SiP的高密度封装结构失效是导致SiP产品性能失效的重要原因。一、TSV失效模式和机理TSV是SiP组件中一种系统级架构的新的高密度内部互连方式，采用TSV通孔互连的堆叠芯片封装
随着芯片制造工艺的不断进步，单个芯片的晶体管数量持续增长，从数万级别到今天的数百亿级别，虽然后面会迎来万亿级芯片时代。长期以来，提高晶体管密度抑制是实现大规模集成电路的主要途径，厂商及工程师的关注点也是以芯片制程的升级为主。但随着工艺邻近物
众所周知，美国在半导体多项细分领域上对中方的手段是无所不及，尽全力打压中国半导体产业发展，加强本土企业半导体优势，现在又搞出一个大举动。近日，拜登政府宣布将投入约30亿美元资金，专门应用在美国的芯片封装行业，这也是美国《芯片法案》的首项研发
一、W25M02GW1.8V 2G位（2 X 1G位）串行SLC NAND闪存1、简介：W25M02GW（2 X 1G位）串行MCP（多芯片封装）闪存基于W25N串行SLC NAND SpiFlash®系列，将两个单独的W25N01GW芯片
众所周知，芯片存在散热问题，而且难以消除，这是因为芯片在正常运行过程中会产生热量，如果这些热量无法有效散发出去，将导致其温度过高，影响性能，稳定性大减，导致损坏。因此解决芯片散热是很有必要的。近日，国家知识产权官网网站展示了华为技术有限公司
